最大化された双方向の対称的な減衰のために最適化されて数千Ｇを超える加速度範囲に対応するプルーフマスを備えた新たな高Ｇ範囲減衰加速度センサを提案する。この高Ｇ範囲加速度センサは、最大限の双方向の対称的な減衰を達成するために、プルーフマスの質量を最小にする一方でその表面積を最大化するように設計される。このような高Ｇ範囲減衰加速度センサは、極めて高い頻度での減衰（すなわちリンギングの抑制）が望まれるあらゆる用途に適用することができる。 （もっと読む）

シリコン基板内で接合部分離された導電性バイアを形成するプロセス、及びシリコンウェーハの一方の側面から他方の側面に電気信号を伝達する導電装置が提供される。導電性バイアは、シリコン基板の材料とは異なるドーパントでバイアを拡散することによってシリコン基板のバルクから接合部分離される。接合部分離バイアの幾つかは、シリコン基板と、電気接続を必要とするデバイスから構成される第２のシリコン基板に結合されたシリコンウェーハで形成することができる。接合部分離された導電性バイアを形成するプロセスは、特に抵抗及びキャパシタンス両方の耐性がより高い電気デバイスにおいて、金属バイアを形成する方法よりも簡単である。 （もっと読む）

【課題】機械的移動を電気出力に変換するピエゾ抵抗性歪み集中器及びこの集中器を製作する方法を提供する。
【解決手段】機械的移動を電気出力に変換するピエゾ抵抗性歪み集中器及びこの集中器を製作する方法。この装置は、基板内の間隙に渡されたピエゾ抵抗性歪み感応素子から成る歪み感知構造体を含む。歪み感知構造体は、間隙の基部で断面まで延びる垂直壁を有する、同じく間隙に渡された歪み集中構造体上に支持されており、両方の構造体は、基板からエッチングされる。歪み感応素子に対する歪み集中支持体の構造は、深反応性イオンエッチ（ＤＲＩＥ）によって製作される。歪み感知構造体は、以前の歪みゲージ構造体に比較して増大した感度、低いゲージ係数、及び座屈及び破壊に対する増大した抵抗性を有する。歪み感知構造体のいくつかは、ブリッジ回路内である一定のシーケンスに接続することができる。 （もっと読む）