【課題】機械的強度にすぐれ、かつ効率よく製造することが可能となる、シリコンと銅の合金が含有された繊維強化セラミックス複合材料を提供する。
【解決手段】
炭化ケイ素とカーボンのうち少なくとも１つからなる基材部と、炭化ケイ素繊維と炭素繊維のうち少なくとも１つからなる強化繊維と、Ｃｕ_３Ｓｉ合金とシリコンからなる充填部から構成され、前記Ｃｕ_３Ｓｉ合金が総重量の０．５重量％以上４０重量％以下である繊維強化セラミックス複合材料とすることで、曲げ強度と破壊エネルギーが向上される。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハが大口径化された場合であっても、半導体デバイス製造時における熱処理において、スリップ転位の発生を抑制し、半導体デバイスの製造歩留の向上を図ることができるシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコンウェーハ１は、窒素濃度が５．０×１０^１３〜５．０×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であり、半導体デバイスが形成される第１面２の無欠陥層２ａ厚さは２．０〜１０．０μｍであり、第１面２の無欠陥層２ａの内方に位置する第１面２から深さ１８０μｍまでの第１バルク層２ｂにおける酸素析出物密度は０．７×１０^１０〜１．３×１０^１０ケ／ｃｍ^３であり、第１面２に対向する第２面３の無欠陥層３ａ厚さは第１面２の無欠陥層２ａ厚さより小さく１．０〜９．０μｍである。 （もっと読む）

【課題】温度の均一性を図ると共に、割れを抑制し、耐久性に優れたセラミックス製のラジアントチューブを有するラジアントチューブバーナを提供する。
【解決手段】先端が閉塞し他端側を開口端とした、横断面形状が扁平楕円形状のセラミックスからなる外管４と、前記外管内に、外管の横断面における前記扁平楕円形状の長径方向に相対向し、かつ前記長径方向に対して垂直方向に軸線が位置するように配置された円筒形状のセラミックスからなる２本の内管５と、前記内管の側壁を貫通し、燃焼ガスを流出させる複数の流通穴５ａと、前記複数の内管内部に夫々配設されたバーナ部６と、前記内管外側であって前記外管の開口端近傍に設けられた蓄熱部８と、前記内管内部に燃焼用空気を供給する吸気口２ａと、前記蓄熱部を介して外管内の燃焼排ガスを排出する排気口２ｂとを備え、相対向して配置された内管内のバーナ部６によって交互に燃焼させる。 （もっと読む）

【課題】セラミックス繊維の空隙にセラミックススラリーを含浸させた後の乾燥・硬化、あるいは乾燥及び焼成の際に生じるクラックを細分化、あるいは抑制し、より緻密なマトリックスを形成できる繊維強化複合セラミックス材料の製造方法及び耐衝撃性に強い繊維強化複合セラミックス材料を提供する。
【解決手段】セラミックススラリーの中に、長さ０．５ｍｍ以上１０ｍｍ以下のセラミックス短繊維を０．２ｖｏｌ％以上１１ｖｏｌ％以下添加、分散させる工程と、前記セラミックス短繊維が分散しているセラミックススラリーの中に、セラミックス繊維を浸漬し、前記セラミックス繊維表面にセラミックス粒子とセラミックス短繊維を付着させる工程と、前記セラミックス繊維を所定形状に形成し、乾燥、硬化させる工程と、前記工程で得られた硬化体を所定温度で焼成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】欠陥がなく耐久性、透光性に優れたガラス製マイクロレンズアレイを容易にかつ高精度に大量生産できるガラス製マイクロレンズアレイの製造方法を提供する。
【解決手段】本ガラス製マイクロレンズアレイ製造方法は、鏡面研磨されたガラス基板にレーザ光を吸収する膜を形成し、前記膜にレーザ光を照射してガラス基板に局所的な応力を与え、その後前記膜を除去し、前記ガラス基板にドライ・エッチングあるいはウエット・エッチングを施して、局所的に応力が存在する部分を凹レンズ状にする。 （もっと読む）

【課題】バーナ火炎で加熱するラジアントチューブの伝熱性能を向上させながら圧損を低下し、高寿命で、かつ、施工も容易に行える省エネ高伝熱性ラジアントチューブを提供する。
【解決手段】バーナ火炎で加熱するラジアントチューブにおいて、ラジアントチューブの出口側管内に複数の棒または管を長手方向に角度を変えて貫通したセラミックス製円筒を挿入し、該チューブの軸に直列に配設するとともにバーナ取付側の該チューブ内にバーナの火炎を覆うように保護内管を挿入し配設する。 （もっと読む）

【課題】
しきい値電圧をより向上させることのできる、中間層とデバイス活性層の間にノーマリ
ーオフ作用をもつ窒化物半導体層を形成する。
【解決手段】
Ｓｉ単結晶基板上に形成され窒化物半導体の積層構造からなる中間層と、中間層上に形成され、組成Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦０．０５）、厚さ２００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下、炭素濃度１´１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１´１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の窒化物半導体からなる領域１と、領域１上に形成され、組成Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ（０．１≦ｙ≦１）、厚さ０．２ｎｍ以上１００ｎｍ以下、炭素濃度１´１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１´１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の窒化物半導体からなる領域２と、領域２上に形成される窒化物半導体のデバイス活性層からなる窒化物半導体基板。 （もっと読む）

【課題】所定の酸化チタンを用いることで、血液、血清又は血漿中のエンドトキシンを効率よく吸着除去し、かつ、メシル酸ナファモスタットの吸着を抑制したエンドトキシン吸着除去材を提供する。
【解決手段】平均気孔径が０．０５μｍ以上０．６μｍ以下であり、比表面積が２ｍ²／ｇ以上５ｍ²／ｇ以下であり、平均粒子径が０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下の顆粒状である多孔質酸化チタン焼結体からなるエンドトキシン吸着除去材を用いる。 （もっと読む）

【課題】バーナ火炎で加熱するラジアントチューブの伝熱性能を向上させながら高寿命にし、かつ、施工も容易に行える省エネ高伝熱性ラジアントチューブを提供する。
【解決手段】バーナ火炎で加熱するラジアントチューブ１において、該チューブの直管部の長さは１５００ｍｍ，内径はφ１１０ｍｍで、バーナ取付側にボロンを添加したＳｉＣ焼結体からなる長さは１０００ｍｍ，外径はφ１００ｍｍの保護内管２を該チューブ内径の中央に挿入し配設し、該チューブの出口側管内には、長さは１２００ｍｍ，外径はφ３４ｍｍ，内径はφ２４ｍｍで、内部に気孔率を有する複数の炭化珪素製細管４を図２又は図３のように７本束ねて該チューブに平行に配設する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハに対してＲＴＰを行う際、シリコンウェーハの裏面の外周部をリング状に保持するサセプタを用いても、接触痕やスリップの発生を効果的に抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法の提供。
【解決手段】ウェーハＷの回転数を２５０ｒｐｍ以上３５０ｒｐｍ以下とし、ウェーハＷの半導体デバイスが形成される表面Ｗ１側及び前記表面Ｗ１側に対向する裏面Ｗ２側に不活性ガスを供給し、かつ、最高到達温度を１３００℃以上１４００℃以下として、急速加熱・急速冷却熱処理を行う。 （もっと読む）