【課題】骨接合術スクリュー挿入時に均等に破砕され、骨と前記スクリューとの間に均等かつ適度なサイズの顆粒を十分な量で充填することにより、スクリューをより安定的に固定することができ、かつ、加工及び取扱いが容易な形態である骨接合術スクリュー固定部材を提供する。
【解決手段】一の面にスクリューを挿入する挿入面１２を有し、かつ、前記スクリューの挿入方向である長手方向に軸心１５を有する柱状体からなる骨接合術スクリュー固定部材において、前記柱状体の側周面に開口部１１ａを有し、軸心１５を通って、該柱状体の長手方向に垂直な短手方向に貫通する貫通孔１１を、前記長手方向に所定の間隔Ｄで複数形成され、隣接する貫通孔１１は、それぞれ互いに、軸心１５を中心として軸心周りに３０〜９０°ずれるように形成し、挿入面１２に、スクリューを軸心１５へ挿入するためのガイド溝１３を設けた構成とする。 （もっと読む）

【課題】セラミックス製外管を伝熱管に用いた熱交換器において、灰塵等が付着しやすい環境等で使用された場合であっても、熱交換効率を低下させることなく、耐久性を向上させることができ、しかも、低コストで容易に設置することができる熱交換器を提供する。
【解決手段】先端が閉口し、後端が開口したセラミックス製外管２と、外管２内壁に対して隙間を空けて配置され、先端及び後端が開口した内管３とからなる二重管構造の伝熱管４を備え、伝熱管４内を流通する低温ガスＧ１を、伝熱管４の外側を流通する高温ガスＧ２との熱交換により加熱する熱交換器において、伝熱管３の外管２及び内管３を、先端から後端への長さ方向に対する垂直断面形状が長円形又は角丸長方形とし、かつ、外管２と内管３との隙間を、前記長円形又は角丸長方形の短軸方向における間隔ａよりも長軸方向における間隔ｂが広くなるようにする。 （もっと読む）

【課題】高温雰囲気で安定して使用することができ、高い気孔率とこれに起因する低い熱伝導性を有する多孔体セラミックスとその製造方法を提供する。
【解決手段】多孔体セラミックスは、スピネル質セラミックスからなる基材部と、基材部内に存在する気孔部からなり、気孔部は１０ｎｍから３６５ｎｍの範囲に少なくとも一つの気孔径分布のピークを持ち、気孔率が４０体積％以上９５体積％以下であること、より好ましくは、スピネル質セラミックスがＭｇＡｌ_２Ｏ_４であり、また、多孔体セラミックス製造方法としては、スピネル生成原料がマグネシウムを含み、アルミナ換算で１ｍｏｌの水硬性アルミナに対して、マグネシウムのマグネシア換算で０．６６以上１以下のモル比で混合される。 （もっと読む）

【課題】ボイド欠陥の消滅力が高い高温下でＲＴＰを行っても、表面粗さの悪化を抑制することができ、更に、凹形状のピットの発生も抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】少なくとも半導体デバイスが形成される表面が鏡面研磨されたシリコンウェーハの前記表面をフッ化水素系溶液により洗浄する工程と、前記洗浄したシリコンウェーハを、アンモニア系ガス雰囲気中、９００℃以上１２５０℃以下の第１の温度範囲に急速昇温し保持した後、急速降温する第１の急速昇降温熱処理を行う工程と、前記第１の急速昇降温熱処理を行ったシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中、１３００℃以上１４００℃以下の第２の温度範囲に急速昇温し保持した後、急速降温する第２の急速昇降温熱処理を行う工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】酸化イットリウムを主成分とする、光透過率のより優れた透光性セラミックス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実質的にＹ，Ｓｉ，Ｔａの酸化物からなる透光性セラミックスであって、前記Ｓｉを酸化物換算で０．５ｗｔ％〜１０ｗｔ％含有し、前記Ｔａを酸化物換算で０．５ｗｔ％〜１０ｗｔ％含有し、平均結晶粒径が１０μｍ〜２００μｍであることを特徴とする。Ｓｉを酸化物換算で０．５ｗｔ％〜１０ｗｔ％含有することにより、焼結体の結晶粒径を制御することができ、またＴａを酸化物換算で０．５ｗｔ％〜１０ｗｔ％含有することにより、結晶組織中のポア（気孔）の存在量を制御することができる。その結果、光透過率が高く、耐熱性、耐食性、低発塵性、高強度の特性を有した透光性セラミックスを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】配置空間の有効利用を図ることができ、ヒータ部からのエネルギーを効率的に加熱部に与えることができる流体加熱装置、更には、加熱部の膨張を抑制することができる流体加熱装置を提供する。
【解決手段】不透明石英ガラス板あるいはサンドブラスト加工させた石英ガラス板から形成された、流体を加熱する二つの面状加熱部２Ａ，２Ｂと、透明石英ガラス板から形成され、前記面状加熱部の間に挟まれたヒータ部３と、前記ヒータ部に電力を供給する封止端子部４Ａ，４Ｂとを備え、更に、前記面状加熱部２Ａ，２Ｂは、流体を導入する導入口２Ａ２，２Ｂ２と、前記流体導入口からの流体が流通する流路２Ａ１，２Ｂ１と、前記流路の内部に配設された、通過するガスの抵抗となる充填物２Ｄと、前記流路内の流体を導出する流体導出口２Ａ３，２Ｂ３を備え、前記ヒータ部は収容部３Ａに収容されるカ−ボンワイヤー発熱体Ｗを備えている。 （もっと読む）

【課題】製造時に亀裂の発生が抑制された、表層と基材内部の物性が異なる複合セラミックスとその製造方法を提供する。
【解決手段】マトリックス中に強化材が含まれてなる複合セラミックスであって、前記強化材の単位体積当たりの含有率が、前記複合セラミックス表面および表面近傍で最小値をとり、続いて表面から深さ方向に対して漸増して、その後一定値に達することを特徴とし、さらに強化材の含有率が、深さ方向に対して直線状、階段状、漸近曲線状のいずれか１つの形状で漸増する、マトリックスが炭化ケイ素とシリコンと炭素からなり、強化材が炭素繊維であるとより好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体装置製造後も終点検出部が残存することがなく、また、半導体基板と異なる材料の半導体素子部への拡散等の問題もなく、精度よく半導体基板の薄膜化を実現することができる半導体装置の製造方法及びそれに用いられる半導体基板を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板１の表面１ａに複数の凹部３を有するトレンチ構造５を形成する工程と、前記トレンチ構造５を形成した半導体基板１を不活性ガス雰囲気又は還元性ガス雰囲気にて熱処理を行うことで、前記複数の凹部３の表面部分を閉塞して前記表面部分に半導体層３ａを形成すると共に、内部に空隙３ｂを形成する工程と、を少なくとも備える。 （もっと読む）

【課題】高温下でＲＴＰを行っても、表面粗さの悪化を抑制することができ、更に、凹形状のピットの発生も抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】少なくとも半導体デバイスが形成される表面が鏡面研磨されたシリコンウェーハの前記表面のシリコン原子を水素で終端させる工程と、前記水素で終端させたシリコンウェーハの前記表面のシリコン原子をフッ素で終端させる工程と、前記水素及びフッ素で終端させたシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気又は還元性ガス雰囲気中、１３００℃以上１４００℃以下の温度範囲（Ｔ１（℃））に急速昇温し保持した後、急速降温する急速昇降温熱処理を行う工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＬｕＡＧ：Ｃｅを素材とした緑色蛍光体として発光強度や寿命等の特性を向上させることができる緑色蛍光体を提供する。
【解決手段】本発明に係る緑色蛍光体１は、ＡｌＮからなる第１相３と、Ｃｅを含有するＬｕＡＧからなる第２相５とを有する無機材料で構成された緑色蛍光体であって、第２相５の含有量は、第１相３及び第２相５を含む相全体における体積比で２５ｖｏｌ％以上９５ｖｏｌ％以下であり、かつ、ＬｕＡＧ中のＣｅの含有量は、Ｌｕに対する原子比（Ｃｅ／Ｌｕ）で０．００３以上０．０３以下である。または、前記第２相５の含有量は、体積比で８０ｖｏｌ％以上９５ｖｏｌ％以下であり、かつ、前記Ｃｅの含有量は、Ｌｕに対する原子比（Ｃｅ／Ｌｕ）で０．００１以上０．０３以下である。 （もっと読む）