【課題】 引上げ単結晶インゴットの径方向の温度勾配を簡便に低減し、融液面からの不純物ガスをルツボ外に効果的に排出して、引上げ単結晶の大口径化および高品質化を容易にする。
【解決手段】 単結晶育成装置１０は、円筒形状の炉体１１内に原料融液１２を充填する石英ルツボ１３ａと黒鉛ルツボ１３ｂから成る二重構造のルツボ１３、黒鉛ルツボ１３ｂを周囲から加熱するヒータ１４を備える。そして、ヒータ１４および原料融液１２からの輻射熱を遮蔽する断熱部材１５を有する。この断熱部材１５は、例えば裁頭円筒形状をしており、リング形状の水平部１５ａ、立上部１５ｂおよび取付部１５ｃから構成される。そして、非断熱材から成る補助部材１６が、水平部１５ａと原料融液１２液面の間に介在するように付設され、炉体１１内に導入される不活性ガスの流れを整流する。 （もっと読む）

【課題】リチャージ装置の原料容器２００の単結晶製造装置１００内での上下位置を任意に制御できるようにすることにより、単結晶の品質および生産性を向上させることを可能とするリチャージ装置およびこれを用いたリチャージ方法を提供する。
【解決手段】結晶融液１０５を貯留するルツボ１０１を有する単結晶製造装置１００に設けられ、前記ルツボ１０１に固形状原料１５５を供給するために固形状原料１５５が充填される筒状の原料容器２００を備える固形状原料１５５のリチャージ装置であって、筒状の原料容器２００を保持する独立して制御可能な２つの保持機構を有することを特徴とする固形状原料１５５のリチャージ装置。 （もっと読む）

【課題】熱処理用ボート下部に積載されたウェーハのウェーハ面内温度分布を小さくし、スリップ発生を抑制することを可能にする半導体ウェーハ熱処理用ボートおよびこれを用いた半導体ウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】上プレート１０２と、この上プレート１０２に対向する下プレート１０４と、上プレート１０２のみに固定される、ウェーハ１１０を載置する複数の積載ポール１０６と、これらの複数の積載ポール１０６の外側に配置され、上プレート１０２と下プレート１０４との間に固定された複数の支柱１０８とを有することを特徴とする半導体ウェーハ熱処理用ボート１００ならびにこれを用いた熱処理方法。 （もっと読む）

【課題】スリップの抑制、ウエハ裏面の傷の抑制、ガスの流れの滞留を抑制できる縦型ウエハボート用ウエハ支持部材を提供する。
【解決手段】縦型ウエハボートの溝部に載置され、ウエハを上面に載置、支持する、リング形状の縦型ウエハボート用ウエハ支持体１であって、前記ウエハ支持体１の上面内周部の角部ｃ及び上面外周部の角部ａが、曲面形状の面取りがなされ、ウエハ支持体の下面外周部の角部ｅが、平面形状の面取りがなされている。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイス製造の熱応力に極めて強く、ウェーハの塑性変形あるいはウェーハ割れを抑制するシリコンエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】 シリコンエピタキシャルウェーハ１０は、下地シリコンウェーハ１１とその表面に形成されたエピタキシャル層１２を有する。ここで、下地シリコンウェーハ１１は、高濃度のドーパントを含有する単結晶シリコンバルク部１１ａと、該単結晶シリコンバルク部１１ａより抵抗率の高い単結晶シリコン表面部１１ｂおよび単結晶シリコン裏面部１１ｃから構成される。このようにして、例えば、フラッシュランプアニール、レーザスパイクアニール等の低サーマルバジェットの熱処理において、その熱応力起因のスリップ転位発生あるいはウェーハ割れ等は安定して大幅に抑制される。 （もっと読む）

【課題】ガラス丸棒を直線部を有する螺旋形状に加工するのに適するガラス丸棒の螺旋状加工装置を提供する。
【解決手段】本ガラス丸棒の螺旋状加工装置は、ガラス丸棒の両側を把持し、送りチャックと旋回チャックとからなる一対のチャックと、加熱手段と、送りチャック移動機構と、旋回チャック回動機構を備え、送りチャックによりガラス丸棒を微小送りするとともに、旋回チャックを傾斜面に沿って旋回させて、ガラス丸棒を傾斜状態の屈曲形状に形成し、直線部を有する螺旋形状に加工する。 （もっと読む）