説明

コバレントマテリアル株式会社により出願された特許

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【課題】転位発生の防止と基板の反り低減を、中間層を構成する窒化物半導体層の積層数を少なくして実現できる窒化ガリウム系化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】Si単結晶からなる基板1と、前記基板上に形成された窒化物半導体からなる中間層2と、前記中間層上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体3からなる活性層で構成される窒化ガリウム系化合物半導体基板であって、前記中間層は、前記基板上に第一層21と第二層22がこの順で積層された初期バッファ層200と、前記初期バッファ層上に第三層23と第四層24をこの順で複数回繰り返し積層し最後に第五層25を積層してなる複合層202を複数積層した周期堆積層203からなる。 (もっと読む)


【課題】半導体材料あるいは太陽電池材料等の単結晶あるいは多結晶を製造する装置において溶融材料を収容する石英ガラスルツボを支持、保持するために用いられる炭素ルツボであって、石英ガラスルツボを支持し変形を防止できるとともに、冷却後に石英ガラスルツボを容易に取り外すことができる炭素ルツボを提供する。
【解決手段】ルツボ底部を構成する架台部2と、架台部2に載置または嵌挿される筒状体3とを備えた炭素ルツボ1であって、架台部2が黒鉛材からなり、筒状体3は炭素繊維織布4が積層された炭素繊維強化炭素複合材からなり、筒状体3の一端部から他の一端部にかけて不連続部Fが設けられており、不連続部Fにおいて筒状体3の軸線に垂直な方向の少なくとも一部に炭素繊維強化複合材が存在し、かつ筒状体3の周方向に拘束力を発揮する構造を有する。 (もっと読む)


【課題】耐久性ならびにルツボの安定支持性を向上させ、充分な単結晶化率を得ることのできるシリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】第一の曲率を有する底部と、前記底部の周りに形成され、第二の曲率を有する底部コーナーと、底部コーナーから上方に延びる直胴部を有するシリカガラスルツボにおいて、ルツボ上端から直胴部、及び底部と底部コーナーとの間の曲率変化点Pを基準とする所定範囲までが、結晶化促進剤添加シリカガラスからなる外層2と天然原料シリカガラスからなる不透明中間層3と天然原料シリカガラスまたは合成原料シリカガラスからなる透明内層4で形成された3層構造とからなり、底部が、天然原料シリカガラスからなる不透明外層5と天然原料シリカガラスまたは合成原料シリカガラスからなる透明内層4で形成された2層構造とからなり、外層2は境界部Kからルツボ上端側の結晶化促進剤の添加濃度が、境界部Kから底部側よりも高い。 (もっと読む)


【課題】横型拡散炉が煩雑化することなく、中心部と外周部を含むウェーハ面内の拡散層深さの面内均一性が高い拡散ウェーハを製造することができる横型拡散炉、半導体ウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る横型拡散炉1は、炉本体10と、炉口10bを閉塞する閉塞体15と、炉本体10内を加熱する加熱体20と、半導体ウェーハWを立ててプロセスガスの導入方向と平行な方向に複数平行保持させる横型ボート30と、プロセスガス導入口10aから導入されるプロセスガスの前記半導体ウェーハWへの直接的な接触を遮蔽すると共に、半導体ウェーハWを横型ボート30に平行保持させた際、横型ボート30より上方に位置する半導体ウェーハWの外周部近傍を通過するプロセスガスのガス流速を前記外周部近傍の特定領域毎に変化させるプロセスガス整流板40と、を備える。 (もっと読む)


【課題】作業負担を増加させることなく、上下の回転定盤によりキャリアに保持された半導体ウエハの両面を研磨する際の、研磨の進行状況を正確に推定できる半導体ウエハの研磨方法及び半導体ウエハ研磨装置を提供する。
【解決手段】上下の回転定盤2、3によりキャリア6aに保持されたウエハWを挟持し、該上下の回転定盤2、3を回転動作させることにより、ウエハWの両面を同時研磨する研磨装置1を用いたウエハ研磨方法であって、ウエハWの両面を同時研磨している際の、研磨装置1の定盤負荷電流値をモニタし、そのモニタした定盤負荷電流値を用いて一定時間内における定盤負荷電流値の標準偏差を基準時間毎に算出し、該算出した標準偏差の変化からウエハWの研磨の進行度を推定する。 (もっと読む)


【課題】高温熱処理時のウェーハの撓みを抑制し、スリップ転位の発生及びウェーハ表面へのパーティクルの付着を防止することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶インゴットをスライスして得られたシリコンウェーハの裏面の外周領域をサポートリングにより支持し、前記シリコンウェーハの外周縁から中心に向かって5mmの位置である外周部の温度が、該シリコンウェーハの中心部の温度よりも4℃以上30℃以下の範囲で高く、かつ、該シリコンウェーハの外周縁の温度が、前記外周部の温度よりも低くなるように、前記シリコンウェーハの面内温度を制御しながら熱処理を行う。 (もっと読む)


【課題】コドープを行うに際し、シリコン単結晶の育成中であっても液面振動を抑制してドーパントを添加することが可能であるシリコン単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコン単結晶引上装置10は、シリコン融液16の上方に配置された熱遮蔽体20と、熱遮蔽体20の外周側及びシリコン融液16の液面から離間して配置され、シリコン単結晶Igとルツボ14の内壁との間のシリコン融液16の液面第1位置16a上に液相ドーパントを供給する第1供給管52と、液面第1位置16aとシリコン単結晶Igとの間の液面第2位置16b上に気相ドーパントを供給する第2供給管54と、を有するドーパント供給部50とを備える。 (もっと読む)


【課題】チャックプレート上のすべてのピン頭に、ウェーハやマスク基板等の被加工物を凝固固着するのに十分な量の冷凍液の液滴を均一に保持させることができ、しかも、必要とされる冷凍液の使用量を低減することが可能な冷凍ピンチャックを提供する。
【解決手段】チャックプレート上面に多数のピン2が離散配置された冷凍ピンチャックにおいて、ピン頭の表面粗さRaを0.1μm以上0.5μm以下とする、又は、ピン頭に窪みを形成する。 (もっと読む)


【課題】多孔質セラミックスによるポーラスチャックであって、高強度で変形せず、真空吸着又は真空解除の際、被加工物の吸着面に、前記多孔質セラミックスの連通する気孔の尖った角や突起に起因する塵埃や脱粒等による傷を生じさせることを防止することができるチャックプレートを備えたポーラスチャック及びその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス製チャックプレートを備えたポーラスチャックにおいて、前記チャックプレートに、撹拌起泡によって形成された多孔質成形体を、2200℃以上2300℃以下、2時間以上5時間以下で焼成して得られた多孔質セラミックス焼結体を用いる。 (もっと読む)


【課題】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶引上装置で、ドーパントが高濃度で添加された低抵抗率のシリコン単結晶を引き上げる際に炉内及び排気管内に付着した活性シリコン酸化物を、前記装置の解体・清掃前に効率的に酸化燃焼させて除去するシリコン単結晶引上装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】炉内に配置されたルツボ内に保持されたシリコン融液10からシリコン単結晶12を引き上げた後、シリコン単結晶12を前記炉内から取り出し、前記炉内及び排気管15内に大気を供給しつつ、排気管15内から前記大気を強制排気する。 (もっと読む)


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