【課題】セラミックス複合体として更なる発光強度及び熱伝導率の向上を図ることができ、使用する発光ダイオード等の長寿命化を図ることができる波長変換用のセラミックス複合体を提供する。
【解決手段】本発明に係るセラミックス複合体は、透光性セラミックスからなるマトリックス相３と、Ｃｅを含有するＹＡＧからなる蛍光体相５とを有する無機材料で構成されたセラミックス複合体１であって、前記蛍光体相５の含有量は、前記マトリックス相と前記蛍光体相を含む相全体における体積比で２２ｖｏｌ％以上５５ｖｏｌ％以下であり、前記ＹＡＧ中のＣｅの含有量は、Ｙに対する原子比（Ｃｅ／Ｙ）で０．００５以上０．０５以下であり、光出射方向の厚みが３０μｍ以上２００μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】ネック部に拡径部と縮径部とを交互に形成して、品質の安定した単結晶を引き上げ可能とし、且つ、種結晶から直胴部への転位化を防止することのできる単結晶引上装置及び単結晶引上げ方法を提供する。
【解決手段】育成されるネック部の径を測定するネック径測定手段と、前記ネック径測定手段から得られたネック部の測定値と、記憶手段に予め記憶したネック部径の狙い値との差分に基づき、種結晶の補正された第一の引上速度を出力する第一の引上速度補正手段２１，２２と、前記第一の引上速度の上限を第一の制限値に制限した、第二の引上速度を出力する第二の引上速度補正手段２３と、少なくとも前記引上速度の上限が前記第一の制限値に制限されている間、ルツボの回転数を低下させるルツボ回転数補正手段２４，２５とを備える。 （もっと読む）

【課題】作業負担を増加させることなく、上下の回転定盤によりキャリアに保持された半導体ウエハの両面を研磨する際の、研磨の進行状況を正確に推定できる半導体ウエハの研磨方法及び半導体ウエハ研磨装置を提供する。
【解決手段】上下の回転定盤２、３によりキャリア６ａに保持されたウエハＷを挟持し、該上下の回転定盤２、３を回転動作させることにより、ウエハＷの両面を同時研磨する研磨装置１を用いたウエハ研磨方法であって、ウエハＷの両面を同時研磨している際の、研磨装置１の定盤負荷電流値をモニタし、前記モニタした定盤負荷電流値を用いて一定時間内における定盤負荷電流値の標準偏差を基準時間毎に算出し、前記標準偏差の時間当たりの変化パターンが所定関係を満足したときに、研磨の終了時点であると推定する。 （もっと読む）

【課題】ＬｕＡＧ：Ｃｅを素材とした緑色蛍光体として発光強度や寿命等の特性を向上させることができる緑色蛍光体を提供する。
【解決手段】本発明に係る緑色蛍光体１は、Ａｌ_２Ｏ_３からなる第１相３と、Ｃｅを含有するＬｕＡＧからなる第２相５とを有する無機材料で構成された緑色蛍光体であって、第２相５の含有量は、第１相３及び第２相５を含む相全体における体積比で２５ｖｏｌ％以上９５ｖｏｌ％以下であり、かつ、ＬｕＡＧ中のＣｅの含有量は、Ｌｕに対する原子比（Ｃｅ／Ｌｕ）で０．００３以上０．０３以下である。または、前記第２相５の含有量は、体積比で８０ｖｏｌ％以上９５ｖｏｌ％以下であり、かつ、前記Ｃｅの含有量は、Ｌｕに対する原子比（Ｃｅ／Ｌｕ）で０．００１以上０．０３以下である。 （もっと読む）

【課題】銅が均一に分散して含有されており、ブレーキディスクに好適に適用することができる繊維強化セラミックス複合材料、及び、これを効率的に得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素及び炭素により構成されるセラミックスマトリックスと、炭素繊維又は炭化ケイ素繊維のいずれか１種以上の強化繊維とからなる気孔率５％以上５０％以下の繊維強化多孔質セラミックス基材に、Ｃｕ／Ｓｉ重量比が１以上３以下のＣｕ‐Ｓｉ合金と、該Ｃｕ‐Ｓｉ合金に対して０．５重量％以上３．０重量％以下のＣｒ，Ｓｎ又はＳｂのいずれか１種以上の金属とを、減圧雰囲気下、１３５０℃以上１８００℃以下で含浸させることにより、銅が均一に分散して含有されている繊維強化セラミックス複合材料が得られる。 （もっと読む）

【課題】間葉系幹細胞を簡便かつ均一な形状で３次元に凝集化させ、生体内組織に性質が一致し、かつ、分化状態が均一な細胞凝集塊を効率的に大量に得ることができる細胞培養担体及びこれを用いた細胞培養方法を提供する。
【解決手段】上面に細胞を培養するための複数のウェルが形成されており、前記上面は、２乗平均粗さＲｑが１００〜２８０ｎｍ、かつ、長さ１μｍあたりの線密度が１．６〜３．０であり、前記ウェルは、開口部が円形状又は矩形状であり、開口径が７０〜５５０μｍであり、中心点の間隔が８０〜７００μｍであり、ジルコニアセラミックス焼結体からなり、かつ、該セラミックス焼結体の平均細孔径が０．１５〜０．４５μｍである細胞培養担体、および該担体を用いる細胞培養方法。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ単結晶基板を用いた化合物半導体基板において、化合物半導体基板の機械強度低下と熱伝導率低下を、Ｓｉ単結晶基板のドーパント濃度制御で低減する。
【解決手段】Ｓｉ単結晶基板上に中間層とデバイス活性層を備えた化合物半導体基板で、Ｓｉ単結晶基板は、中間層側の一主面の表面から厚さ方向に向かってドーパント濃度が１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である領域１と、ドーパント濃度が連続的に減少する遷移領域１と、ドーパント濃度が１×１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である領域２と、ドーパント濃度が連続的に増加する遷移領域２と、ドーパント濃度が１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である領域３とからなる。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下することなく、研磨後の膜厚の目標値からのずれ量を小さくし、高精度な研磨を行う。
【解決手段】被処理膜の初期膜厚を測定する初期膜厚測定手段６と、測定した複数の基板Ｗの被処理膜を予め定められた基礎研磨レートから算出された研磨時間により連続して１次研磨する第１研磨手段１４と、前記１次研磨された研磨後の被処理膜の膜厚を測定する研磨後膜厚測定手段１５と、前記測定した初期膜厚、研磨後の被処理膜の膜厚、及びその時の研磨時間に基づき前記１次研磨された基板毎に前記１次研磨における実研磨レートを算出し、前記算出した実研磨レートに基づき研磨順が隣接する基板間の研磨レート差を算出し、前記算出した研磨レート差が所定の有効範囲内であるか否かを判断し、その結果に基づいて適用される実研磨レートに基づいて研磨時間を算出し、当該研磨時間を次に１次研磨する基板の研磨時間としてフィードバックする制御を行う制御手段２０を備える。 （もっと読む）

【課題】
給電端子付近での電極および誘電層におけるクラック発生がない静電チャックの給電端子形成方法を提供する。
【解決手段】
金属層からなる電極が板状の絶縁材料の中に埋設され、その一表面は吸着面であり、その裏面には前記電極に達する端子を挿入するための端子孔が形成されており、前記端子孔には前記電極に接する給電端子Ａと、給電端子Ａと空間部を設けて位置する給電端子Ｂが配置されており、給電端子ＡおよびＢの外周面を一体の導電性ペーストで囲繞し端子孔との間を満たしており、給電端子Ｂの給電端子Ａと対向しない側の面の面積が、給電端子Ａの給電端子Ｂに対向した側の面積よりも大きい静電チャック。 （もっと読む）

【課題】イットリア系の皮膜で被覆された部材であって、主に、半導体や液晶製造用等のプラズマ処理装置部材として用いることができ、表面が緻密で滑らかであり、プラズマ処理時にパーティクルや金属不純物の発生によって被処理品を汚染することがなく、かつ、耐久性に優れた耐食性部材を提供する。
【解決手段】セラミックス又は金属からなる基材の少なくともプラズマ又は腐食性ガスに曝される部位の表面に、イットリア系耐食膜が形成された耐食性部材において、前記耐食膜の少なくとも表面層を、イットリアを主成分とし、他は五酸化タンタル又は五酸化ニオブのいずれか１種以上を前記イットリア１００ｍｏｌ％に対して０．０２ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下含有している組成とする。 （もっと読む）