説明

中美▲せき▼晶製品股▲ふん▼有限公司により出願された特許

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【課題】インゴットの底部においてバルク欠陥密度が低く、シリコン粒子が小さい結晶シリコンインゴットの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、結晶シリコンインゴットの製造方法を提供する。本発明の方法では、核形成促進層2を利用して、複数のシリコン粒子34が前記核形成促進層2上にシリコン融液32から核形成するとともに、シリコン融液32を凝固させて結晶シリコンインゴットを得るまで垂直方向に成長するのを促進する。 (もっと読む)


【課題】結晶シリコンインゴット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶シリコンシード層を用いて、結晶シリコンインゴットが方向性凝固法によって形成される。結晶シリコンシード層は、複数の第1の単結晶シリコンシードと、複数の第2の単結晶シリコンシードとから形成されている。第1の単結晶シリコンシードの各々は(100)と異なる第1の結晶方向を有する。第2の単結晶シリコンシードの各々は第1の結晶方向と異なる第2の結晶方向を有する。第1の単結晶シリコンシードの各々は第2の単結晶シリコンシードのうちの1つ以上に隣接し、他の第1の単結晶シリコンシードから分離されている。 (もっと読む)


【課題】より結晶成長に適した温度勾配を形成でき、品質の高い結晶を製造できる結晶成長装置を提供する。
【解決手段】上端に開口31を有し、下端に底部32を有するるつぼ3と、るつぼ3を包囲し、るつぼ3の上下方向に沿って第1の位置と第2の位置の間を移動できる加熱装置2とを有しており、加熱装置2が稼動すると、るつぼ3の底部32の側から開口31の側に向かう順に、第1の温度域201と、第1の温度域201よりも温度が高い第2の温度域202とがそれぞれ画成され、加熱装置2が前記第1の位置にあるときに、るつぼ3は第2の温度域202にあり、加熱装置2が前記第2の位置にあるときに、るつぼ3は第1の温度域201にあることを特徴とした結晶成長装置。 (もっと読む)


【課題】エピタキシャル基板と製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル基板は結晶性基板を備える。結晶性基板は微細な凹凸を備えるとともにパターニング不要のエピタキシャル表面を有する。本発明によるエピタキシャル基板は化合物半導体材料から、良好な品質のエピタキシャル層の成長を得るという利点を有する。さらに、本発明によるエピタキシャル基板の製造方法は低コストかつ製造時間短縮といった利点を有する。 (もっと読む)


【課題】従来技術に比較して、形成されたバッファ層の厚さをより正確に制御することができ、欠陥密度を減少させ、蒸着温度を下げることができるバッファ層を形成する方法を提供する。
【解決手段】HOの前駆物質およびOの前駆物質のいずれかと、DEZnの前駆物質とを供給し、400℃以下の処理温度で原子層成膜処理を行い、バッファ層として機能するZnO層12をサファイヤ基板、Si基板、SiC基板またはガラス基板からなる基板10の上に形成する。 (もっと読む)


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