説明

ハー.ツェー.スタルク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングにより出願された特許

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【課題】高公称電圧を有する低い等価直列抵抗および低い残留電流の固体電解質キャパシタを製造する方法の提供
【解決手段】a)電極材料の多孔性電極本体(2)が、この電極材料の表面を覆う誘電体(3)を形成するために陽極酸化を受けるステップと、
b)電極材料の多孔性電極本体(2)および誘電体(3)を少なくとも含有する多孔性本体の上に、導電性ポリマーの粒子B)および分散剤D)を少なくとも含有する分散液A)が適用されるステップと、
c)誘電体表面を完全にまたは部分的に覆う固体電解質(4)を形成するために、分散剤D)が少なくとも部分的に除去および/または硬化されるステップを少なくとも備え、
多孔性電極本体(2)の陽極処理酸化中に最大陽極処理電圧が30Vより高く、分散液A)における導電性ポリマーの粒子B)が、1〜100nmの平均直径を有することを特徴とする、電解質キャパシタを製造する方法 (もっと読む)


【課題】低等価直列抵抗(ESR)および低残留電流を有する固体電解コンデンサを製造するためにin situ重合を必要とせず、誘電体が金属イオンによって損傷を受けない、熱に対してより安定な固体電解質が形成されるような新規のより簡単な方法の提供。
【解決手段】a)電極物質の多孔質電極本体(2)と、この電極物質の表面を覆う誘電体(3)とを含む多孔質本体上に、導電性ポリマーの粒子B)および分散剤D)を少なくとも含む分散液A)を適用する工程、および
b)誘電体表面を完全にまたは部分的に覆う固体電解質(4)の形成のため、分散剤D)が少なくとも部分的に除去されるか、および/または硬化される工程
を少なくとも包含し、
分散液A)中の導電性ポリマーの粒子B)の平均直径が1〜100nmであり、粒子B)から作製された被膜の比導電率が10S/cmより大きいことを特徴とする、
電解コンデンサの製造方法。 (もっと読む)


【課題】本発明の課題は、適切な条件下でか焼した場合に、少なくとも99%の純度を有し、ひいては錯化剤または対イオンからの不純物を1%まで含有し、質量%で表される高いニオブ含有率(22質量%より大)を有する五酸化ニオブが得られる、優れた水溶性(30gNb/lより大)を有するニオブ化合物を提供することである。
【解決手段】アンモニウム(ビスアクオオキソビスオキサラト)ニオベート(NH4)[Nb(O)(C242(H2O)2]およびその水和物を、水、補助剤、乳化剤、抗菌剤、水溶性バッグ、水溶性ポリマー、ポリビニルアルコール、シュウ酸、シュウ酸アンモニウムからなる群から選択される少なくとも1の別の成分と一緒に含有する調製物。 (もっと読む)


【課題】特に固体反応、例えば触媒としての用途又はその製造及びエレクトロセラミックスとしての用途又はその製造に好適であるバルブ金属酸化物粉末、特にNb粉末及びTa粉末を提供すること、及びかかるバルブ金属酸化物粉末の簡易な製造方法を提供することである。
【解決手段】球状の形態、10〜80μmのD50値及び大きいBET表面積を有するバルブ金属酸化物粉末及び、フッ化物を含有するバルブ金属化合物を温度を高めて塩基で沈殿させることによって前記バルブ金属酸化物粉末を製造する方法によって解決される。 (もっと読む)


【課題】理解されるべき妥協の可能を拡大し、即ちより大きな性質の幅を有するコンデンサを製造することができるかまたは一定の性質を有するコンデンサをあまり厳しくない方法の制限で製造することができる、コンデンサ製造のための粉末を提供することである。
【解決手段】0.2〜0.8μmの最小の一次粒子寸法、0.9〜2.5m2/gの比表面積、5〜25μmのD10値、20〜140μmのD50値および40〜250μmのD90値に相当するASTM B 822により測定された粒度分布を有する凝集された一次粒子からなるタンタル粉末であって、この場合この粉末は、焼結保護剤の作用含量を含んでいない、前記のタンタル粉末。 (もっと読む)


【課題】高価な後処理工程を必要とすることなく、所望の形態を維持することが可能である、相応する酸化物を還元することにより特別に調整された形態を有するバルブ金属粉末の製造法を提供する。
【解決手段】a)所望の形態の前駆物質の製造、b)バルブ金属の酸化物への前駆物質の変換、c)熱処理による酸化物の構造の安定化およびd)形態を維持しながら行う、安定化された酸化物の還元の工程を含む、バルブ金属粉末の製造法。 (もっと読む)


【課題】導電性ポリ(エチレン−3,4−ジオキシチオフェン)の極めて迅速な形成を容易にする経路および中間生成物を提供することである。
【解決手段】前記課題は、一般式Iの化合物、一般式IIの化合物を触媒としてのルイス酸および/またはプロトン酸の存在で相互に反応させることを特徴とする一般式Iの化合物の製法、少なくとも1種の一般式Iの化合物が化学的または電気化学的方法により酸化的に重合されることを特徴とする一般式IIIの中性またはカチオンポリチオフェンの製法および一般式Iの化合物を含有する電気または電子部品により解決された。 (もっと読む)


本発明は、半導体製造のために適したシリコンを製造するための坩堝を製造するための焼結体に関する。本発明の構成では、該坩堝が、複数の構成部分から形成されていて、少なくとも1つの閉じられていない接合ギャップを有している。 (もっと読む)


本発明は、酸化ニオブをベースとする固体電解コンデンサ陽極、陽極素地の成形及び陽極体への焼結によるそのような陽極の製造方法並びに酸化ニオブからなる陽極を有する固体電解コンデンサの製造方法に関する。 (もっと読む)


本発明は、焼結された金属部材を製造するための半製品、半製品の製造方法並びに部材の製造に関する。本発明の課題は、焼結し終えた部材に関して高められた物理学的密度及び低減された収縮率を可能にする焼結された金属部材を製造するための方法を提供することである。焼結された金属部材を製造するための本発明による半製品の場合に、それぞれ第1の金属粉末の粒子から形成されているコア上に被膜層を形成する。この被膜層は、第2の粉末及び結合剤を用いて形成される。この場合、第1の粉末は少なくとも50μmの粒度d90を有し、第2の粉末は少なくとも25μmの粒度d90を有する。この半製品は粉末状である。 (もっと読む)


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