説明

太陽電化工業株式会社により出願された特許

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【課題】均一電着性に優れ、めっきコストの低廉なニッケルめっき浴を提供する。
【解決手段】本発明のニッケルめっき浴は、塩化ニッケル・六水和物を4g/L〜100g/L含み、クエン酸ナトリウム・二水和物を50g/L〜300g/L含み、ホウ酸等のpH緩衝剤を含まないか又は飽和濃度以下とされており、硫酸ニッケル・六水和物を含まないか又は30g/L以下とされており、pHが6.5〜10とされていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】均一電着性に優れ、ホウ素を用いることが無く、めっきコストも低廉なニッケルめっき浴を提供する
【解決手段】本発明のニッケルめっき浴は、ニッケルイオン源としての塩化ニッケル及び/又は硫酸ニッケルをニッケルイオン濃度換算で1g/L〜20g/L含み、クエン酸をクエン酸・一水和物換算で50g/L〜300g/L含み、pHがアンモニアによって6.5〜10に調節されていることを特徴とする。 (もっと読む)


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