【課題】構造が簡単でデータ保持特性に優れた電界効果トランジスタと強誘電体メモリ装置及びこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１にソース領域２及びドレイン領域３が形成され、このソース領域２とドレイン領域３との間のチャンネル領域４上には強誘電体膜または強誘電体層５が形成される。この時、強誘電体層５は無機物強誘電物質と有機物の混合物で構成される。強誘電体層５は無機物強誘電物質と有機物の混合溶液を生成し、基板上にこの混合溶液を塗布して強誘電体層を形成した後、これを焼成及びエッチングする過程を通じて形成する。 （もっと読む）

【課題】各種の電気及び電子素子の製造に効率よく使用可能な強誘電物質と、該強誘電物質を用いて強誘電体層を形成するための強誘電体層の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明による強誘電物質は、無機物強誘電体と有機物強誘電体との混合物で構成され、その強誘電体層の形成方法は、無機物強誘電物質と有機物との混合溶液を用意する段階と、基板上に混合溶液を塗布して強誘電体膜を形成する段階と、強誘電体膜を加熱及び焼成する段階と、を通じて強誘電体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】構造が簡単でデータ保持特性に優れた電界効果トランジスタ及び強誘電体メモリ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電界効果トランジスタもしくは強誘電体メモリ装置は、ＭＦＭＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ−Ｍｅｔａｌ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）構造を有し、ソース及びドレイン領域２、３とその間にチャネル領域４が形成される基板１と、該基板のチャネル領域の上側に形成される下部電極層と、該下部電極層上に形成される強誘電体層３１と、該強誘電体層上に形成される上部電極層と、を備える。 （もっと読む）

本発明は強誘電体メモリ装置及びその製造方法に関し、メモリ装置に適用される強誘電体のヒステリシス特性及び残留分極特性を大幅に増強することにより安定的なメモリ動作を提供する。本発明においては強誘電体メモリに用いられる強誘電体物質としてβ相の結晶構造を有するＰＶＤＦを用いる。本発明に係るＰＶＤＦ薄膜は約０から１Ｖへ印加電圧が上昇することによって分極が増加して約１Ｖ程度で約５μＣ／ｃｍ^２以上の分極を示し、再び０から−１Ｖへ印加電圧が下降することにつれて分極が減少していって、約−１Ｖ程度で約−６μＣ／ｃｍ^２以下の分極を示す良好なヒステリシス特性を有する。 （もっと読む）