基板に接触するドープされた半導体材料を有する半導体チップへ実行される方法であって、基板の外側から、基板の少なくとも一部を通り、ドープされた半導体材料に向けて延びる第１バイアを生成するステップであって、第１バイアは壁面と底を有し；導電路を生成するために、第１導電性材料を第１バイアへ導入するステップと；第１バイアにアライメントし、半導体チップのドープ部分の外面から底まで延びる第２バイアを生成するステップと；導電路を生成するために第２導電性材料を第２バイアへ導入するステップとを含む。
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ＩＣパッドと、ＩＣパッドの上のバリア層と、バリア層上の展性材料とを機能的に有するチップ接点。ＩＣパッドと、ＩＣパッド上のバリア層と、バリア層上の剛性材料とを機能的に有する代替のチップ接点。

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第１ウェハ上の第１接点を第２ウェハ上の第２接点に電気結合する方法であって、第１接点は剛性材料を含み、第２接点は、剛性材料に比べて展性のある材料を含み、両方を一緒にすると、剛性材料が展性材料に入り込むように結合し、剛性材料および展性材料はともに導電性であり、前記方法は、剛性材料を展性材料と接触させるステップ、剛性材料を展性材料へ入り込ませるために第１接点および第２接点の何れか一方に力を加えるステップ、展性材料を軟化させるために剛性材料および展性材料を加熱するステップ、展性材料を予め特定した領域内に拘束するステップを含む。

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装置は、基板材料の、相互に接合される２つのスラブを有し、この２つのスラブは、第１領域を第２領域から分ける形状を有して、相互に接合された一対の接点を含む。
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第１製造プロセスを用いて形成された高速回路を備える第１チップを、第２製造プロセスを用いて形成された多重に反復する低速回路を備えるウェハとともにスタックするステップと、第１チップと、反復する低速回路の一つとの間に電気接続を形成してハイブリッド化ユニットを形成するために、ウェハへ第１チップをハイブリッド化するステップと、ウェハからユニットをダイス切断するステップとを含む方法。
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システムは、第１半導体デバイスと第１電気接続とを有する第１チップ、第２半導体デバイスと第２電気接続とを有する第２チップ、および第３半導体デバイスと第３電気接続とを有する第３チップを有し、第３チップは、第１および第２チップの上面にスタックされ、第１および第２チップのそれぞれの少なくとも一部分を物理的に架橋し、前記第１および第２チップに接続される。
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２つのチップを相互に物理的かつ電気的に接合する方法は、第１チップの導電性接点を、第２チップ上の対応する導電性接点にアライメントさせるステップ；第１チップの導電性接点は剛性材料であり、第２チップの導電性接点は展性のある材料であり；第１チップのアライメントさせた導電性接点を、第２チップ上の対応する導電性接点に接触させるステップ；剛性材料が展性材料に入り込み導電性接続を形成するようにさせるために前記チップへ圧力をかけている間、チップの接点を、剛性材料と前記展性のある材料の両方の液相温度未満の温度まで昇温するステップ；および導電性接続の形成に続いて、接点を周囲温度まで冷却するステップ；を含む。
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