【課題】従来の連続媒体から区別したパターニングされた媒体を識別するパターン転写ステップを統合した複数の基板の処理装置などの技術を提供すること。
【解決手段】ハードディスクドライブに用いるためのハードディスク上に磁気記録層をパターニングするためのインライン処理システム。ディスクは、ＭＤＣと呼ばれるラウンドプレート形状ホルダ（ｐｌａｔｅ−ｌｉｋｅ ｈｏｌｄｅｒ）の垂直方向に同時に両側に処理される。複数（１０個程）のディスクは、ＭＤＣのダイヤルキャリアでホールディングされ、１つの処理ステーションから他の処理ステーションに移動する。ＭＤＣのダイヤルキャリアは、１つまたは複数の処理源がディスクを同時に処理できるように各処理ステーションで、正常から７０°までの回転及び／または角度を提供する。このような構成は、時間節約及び要求される処理源の数と大きさの減少を提供する。磁気媒体のパターニングのためのマスク改善処理、及び充填と平坦化処理は共に用いられ、また開示される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体産業で利用される回転式ソーブレードの集合体に関する。
【解決手段】ウェハーをダイシングするためのガングソー用ソーブレート集合体は、共通する中心軸線に沿って位置決めされている複数の円状のソーブレードと、隣り合うソーブレード同士の間において共通する中心軸線に沿って位置決めされている浸食可能なピッチスペーサとを含んでいる。ピッチスペーサは、ソーブレート集合体を研磨材と当接させることによって、共通する中心軸線を基準とした所望の直径に至るまで浸食される。従って、ソーブレート集合体は、ブレードが浸食しても、長期間に亘るソーブレードの利用を可能とする。 （もっと読む）

ルテニウムを堆積するための組成物及び方法。四酸化ルテニウムＲｕＯ_４を含有する組成物を前駆体溶液６０８として使用し、ＡＬＤ、プラズマ強化堆積、及び／またはＣＶＤによって基板４００を被覆する。周期的プラズマ濃縮を使用することもできる。
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エネルギー粒子ビーム（４２）で基板（４４）を処理するための方法及び装置である。基板（４４）上の特徴（６６）は、エネルギー粒子ビーム（４２）に対して配向され、基板（４４）はエネルギー粒子ビーム（４２）を通して走査される。ビーム（４２）の長寸法（４９）に対して特徴（６６）を再配向するために、基板（４４）は、エネルギー粒子ビーム（４２）への露光から遮蔽される間に、対称な方位軸（４５）の周りで周期的に割り出される。
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イオン源および制御可能なイオン電流密度分布を有するイオンビームを発生させるためにイオン源の電磁石を動作させる方法。イオン源（１０）は、放電チャンバ（１６）および放電チャンバ（１６）の内側でプラズマ密度分布を変化させるために磁界（７５）を発生させるようになっている電磁石（４２；４２ａ−ｄ）を含む。方法は、放電空間（２４）内でプラズマ（１７）を発生させること、電流を電磁石（４２；４２ａ−ｄ）に印加することによって、プラズマ密度分布を規定するのに有効である磁界（７５）を放電空間（２４）内に発生し形作ること、プラズマ（１７）からイオンビーム（１５）を抽出すること、イオンビーム密度について分布プロファイルを測定すること、および、イオンビーム密度について実際の分布プロファイルを所望の分布プロファイルと比較することを含んでもよい。
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イオンビームエッチシステム(ＩＢＥ)などの高真空処理システムにおける基体などの被支持部材の温度の制御を向上させるための装置および方法に関する。この装置は、被支持部材(２０)を支持する支持部材(４２)から液冷式熱交換部材(４４)へ熱を伝達させる、支持部材(４２)の温度を制御するための熱電デバイス(７０)を備えている。この方法は、液冷式熱交換部材(４４)へ熱を伝達する熱電デバイス(７０)を用いて、支持部材(４２)を冷却することを含む。
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本発明は、惑星スパッタ堆積法を用いた基板１２の処理のためのスパッタ堆積システム１０及びその使用方法に関する。スパッタ堆積システム１０は、方位角軸１６を有する堆積チャンバ１４を有する。回転部材３０及び３２は、チャンバ１４内に位置しており、そこに設けられた複数のマグネトロン３４を有する。マグネトロン３４それぞれは、複数のスパッタターゲット３６の対応する１つを有する。回転部材３０、３２は、マグネトロン３４それぞれを位置合わせするように構成されており、スパッタターゲット３６の対応する１つからのスパッタ材料は、堆積チャンバ１４に規定された堆積領域５０に向けられる。移送機構６６は、堆積チャンバ１４に位置しており、方位角軸１６回りで回転可能な腕部６８を有する。基板ホルダ７２は、移送機構６６の腕部６８に取り付けられ、かつ基板１２を支持し、腕部６８が基板ホルダ７２を回転して基板１２上にスパッタ材料を堆積するために堆積領域５０を横断させる。
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大容量記憶装置の読み取りヘッド用の素子構造体の製造方法。ダイヤモンドライクカーボン等の比較的硬質な材料から形成された研磨停止層（４０）が、読み取りセンサ（３４）の形を定めるために積層体（３２）の一部を除去するイオンミリング中に積層体（３２）の領域をマスキングするために用いられるレジストマスク（４２）と積層体（３２）との間に位置する。読み取りセンサ（３４）の形が定められた後に、従来の化学的な方法を有するレジストマスク（４２）のリフトオフを必要としない平坦化工程によって、レジストマスク（４２）が除去される。Ａｌ_２Ｏ_３等の材料から成る電気絶縁層（４６）が、マスキングされた読み取りセンサ（３４）の上に形成される。これに加えてまたは代わりに、電気絶縁層（４６）を、レジストマスク（４２）が存在する場合には固焼きされてしまうような高温で実施される原子層堆積（ＡＬＤ）法を用いて形成することができる。
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