【課題】様々な書き込みコマンド・スケジューリングを含むメモリシステムを提供する。
【解決手段】システム１００は、ホストデバイス５０を含み、ホストデバイス５０は、システム・メモリにメモリ・リクエストを始めるように構成される。システム１００はメモリコントローラ２５を含み、メモリコントローラ２５は、メモリ・リクエストを受け取るように、そして、メモリインタフェースを介してメモリデバイス２０に運ばれるメモリ・トランザクション３３にメモリ・リクエストをフォーマット化するように構成される。メモリ・トランザクション３３は、複数のメモリ書き込みコマンド・タイプを含む。各メモリ書き込みコマンド・タイプは、対応するデータ・ペイロードを運ぶために異なるそれぞれのスケジュールに対応する。 （もっと読む）

【課題】慣用のロジックプロセスによる埋込みＤＲＡＭセルのデータ保持性能を改善できるワード線ドライバを提供する。
【解決手段】慣用のロジックプロセスによるｐチャネルトランジスタ１０１を含むＤＲＡＭセルにアクセスするためのワード線ドライバを提供する。このワード線ドライバは、ｐ型基板の中の深いｎ型ウェル領域の中に配置したｐ型ウェル領域に設けたｎチャネルトランジスタ３１３を含む。負極性のブースト電圧供給源から前記ｐ型ウェルおよび前記ｎチャネルトランジスタのソースに負極性ブースト電圧を供給する。この負極性ブースト電圧は、ｐチャネルアクセストランジスタのスレッショルド電圧以上の電圧値だけ接地電位よりも低い。深いｎ型ウェルおよびｐ型基板は接地電位点に接続する。 （もっと読む）

【課題】慣用のロジックプロセスによる埋込みＤＲＡＭセルのデータ保持性能を改善できるアクセス用オンチップ高精度電圧発生の可能なワード線ドライバを提供する。
【解決手段】慣用のロジックプロセスで埋め込まれたＤＲＡＭセルにアクセスするためのワード線ドライバであって、セルキャパシタに接続したｐチャネルアクセストランジスタを含むワード線ドライバを提供する。このワード線ドライバは、深いｎ型ウェル領域の中に配置したｐ型ウェル領域に設けたｎチャネルトランジスタを含む。その深いｎ型ウェルはｐ型基板の中に配置する。ワード線は上記ｎチャネルトランジスタのドレーンをｐチャネルアクセストランジスタのゲートに接続する。負極性のブーストずみ電圧供給源からｐ型ウェルおよびｎチャネルトランジスタのソースに負極性ブーストずみ電圧を供給する。この負極性ブーストずみ電圧は、ｐチャネルアクセストランジスタのスレッショルド電圧以上の電圧値だけ接地電位よりも低い。深いｎ型ウェルおよびｐ型基板は接地電位点に接続する。別の実施例では上述の導電型は逆にすることができる。 （もっと読む）