【課題】個別にアドレス指定可能なセルを具備した受動マトリクス・アドレス指定可能素子の読み取りの方法を提供する。
【解決手段】セルはデータを各セルの中で２つの分極状態の１つの形式で格納し、セル内の分極状態は直交する電極マトリクスの形でワードおよびビット・ラインを形成する電極を経由してアドレス指定して書き込みおよび読み取りが行われ、セルがワードおよびビット・ラインの間の交差部内またはその部分に具備され、電圧パルス・プロトコルが使用され、それに基づいて全てのワードおよびビット・ライン上の電位が時間を調整される。読み取り中にはワード・ラインが電圧を与えることでアクティブ化され、この電圧は電圧に対応する全ての交差ビット・ライン上の電位に比例し、このアクティブ・ワード・ラインに接続されたセル内に格納されたデータは、そのセルの電荷値を検出装置で検出して決定される。 （もっと読む）

【課題】タグ、ラベル又はパッケージの印刷プロセス、あるいは、パッケージング・プロセス自体に容易に採用できる再書き込み可能な不揮発性メモリ・デバイスを作製する簡易で安価な方法を提供する。
【解決手段】ａ）第１の印刷手段を用いて絶縁性基板上に第１の印刷インクで第１の電極層を印刷し、それによって第１の組の電極を形成するためと、ｂ）第２の印刷手段を用いて第１の電極層上に第２の印刷インクでメモリ材料のパターニングされた、あるいは、パターニングされていない層を印刷し、ｃ）第３の印刷手段を用いてメモリ層上に第３の印刷インクで第２の電極層を印刷し、それによって第２の組の電極を形成するための連続した工程を含み、それら単独又は組合せのいずれかで実行される作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】個別にアドレス指定可能なセルを具備した受動マトリクス・アドレス指定可能素子の読み取りの方法を提供する。
【解決手段】セルはデータを各セルの中で２つの分極状態の１つの形式で格納し、セル内の分極状態は直交する電極マトリクスの形でワードおよびビット・ラインを形成する電極を経由してアドレス指定して書き込みおよび読み取りが行われ、セルがワードおよびビット・ラインの間の交差部内またはその部分に具備され、電圧パルス・プロトコルが使用され、それに基づいて全てのワードおよびビット・ライン上の電位が時間を調整される。読み取り中にはワード・ラインが電圧を与えることでアクティブ化され、この電圧は電圧に対応する全ての交差ビット・ライン上の電位に比例し、このアクティブ・ワード・ラインに接続されたセル内に格納されたデータは、そのセルの電荷値を検出装置で検出して決定される。 （もっと読む）

【課題】強誘電体又はエレクトレット・メモリ・デバイスのアドレッシング動作において、ヒステリシス曲線、及びスイッチング速度の変化によって、メモリ・セルの応答の変化又はドリフト問題が生じる。
【解決手段】強誘電体又はエレクトレット・メモリのスイッチング速度応答変化を示す少なくとも１つのパラメータを決定し、スイッチング速度依存補正要因を決定することによって少なくとも１つの補正要因を決定するか、あるいは少なくとも１つの温度依存補正要因を決定することによって補正要因を決定する。それによって、電圧パルス・プロトコルによってあらかじめ定められた、電位レベルに関係した少なくとも１つのパルス・パラメータが、少なくとも１つの補正要因によって調整される。 （もっと読む）

第１と第２の電極の組に挟まれたメモリ層を含む強誘電体メモリ・デバイスの作製における方法であって、メモリ層は、両電極組と一緒に適当な印刷プロセスによってそれぞれメモリ・デバイス中に実現される。
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不揮発性電気的記憶システムにおいて、カード型メモリ・ユニット１０と読み取り／書き込みユニット１１とは物理的に別個のユニットとして設けられる。メモリ・ユニット１０は、メモリ材料の両端間に電界が印加されることによって少なくとも２つの別個の物理的状態に設定可能であるメモリ材料４を使用している。読み取り／書き込みユニット１０は、最初の書き込み動作でメモリ・ユニット１０内にメモリ・セルを画定することを可能にする所定の形状パターンで設けられた接触手段９を備え、メモリ・セルは接触手段９の形状パターンに対応する形状パターンで配置されている。メモリ・ユニット１０と読み取り／書き込みユニット１１との間に物理的接触が成立すると、アドレス指定されたメモリ・セル上の電気回路が閉じ、読み取り、書き込み又は消去動作を実行可能である。メモリ・ユニット１０のメモリ材料４は識別可能な２つの分極状態へと分極可能な強誘電性又はエレクトレット材料であってよく、又は電界の印加によって材料のメモリ・セルを特定の安定抵抗値に設定可能であるように、抵抗性インピーダンスを有する材料であってもよい。
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不揮発性電気メモリ・システムにおいて、メモリ・ユニットと読み取り／書き込みユニットが物理的に分離されたユニットとして具備されている。メモリ・ユニットはメモリ材を使用し、メモリ材に電場を加えることによって少なくとも２つの識別可能な物理状態に設定することが可能である。電極手段そして／または接点手段が、メモリ・ユニットまたは読み取り／書き込みユニットいずれかの中に具備されており、接点手段は少なくとも読み取り／書き込みユニットの中には常に具備されている。電極および接点は幾何学的配列で具備されていて、これは幾何学的に１つまたは複数のメモリ・セルをメモリ層の中に定める。読み取り／書き込みユニット内の接点手段は、読み取り／書き込みユニットの中、またはこれに接続されている外部機器の中に配置されている駆動、検出および制御装置に接続可能なように具備されている。メモリ・ユニットと読み取り／書き込みユニットとの間に物理的接触を作り出すことにより、電気回路がアドレス指定されたメモリ・セルの上に閉じられ、読み取り、書き込みまたは消去操作が有効となる。メモリ・ユニットのメモリ材は強磁性体または２つの認識可能な分極状態に分極可能なエレクトレック材であるか、または抵抗性インピーダンス特性を備えた材質で、例えばその材質のメモリ・セルは電場を加えることで特定の安定した抵抗値に設定可能なものが使用できる。
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フッ化ビニリデンオリゴマー又はフッ化ビニリデンコオリゴマーの強誘電性薄膜を形成するための方法において、オリゴマー材料が、真空室内で蒸着され且つ基板上に薄膜として堆積され、基板は、堆積されたＶＤＦオリゴマー又はコオリゴマー薄膜のプロセスパラメータ及び物理特性によって決定される範囲の温度に冷却される。強誘電性メモリセル又は強誘電性メモリデバイスを製造するための本発明の方法の適用において、強誘電性メモリ材料は、電極構造間に配置されるＶＤＦオリゴマー又はＶＤＦコオリゴマーの薄膜の形態で設けられる。この方法で製造される強誘電性メモリセル又は強誘電性メモリデバイスは、薄膜が、少なくとも１つの電極構造上に又は第１電極構造と第２電極構造との間に設けられるように、少なくとも１つの第１電極構造及び第２電極構造上に設けられたＶＤＦオリゴマー又はＶＤＦコオリゴマーの薄膜の形態のメモリ材料を有する。
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受動マトリクス・アドレッシング方式の強誘電体又はエレクトレットのメモリ・デバイスを動作させる方法において、擾乱電圧を最小に留めるために１／３電圧選択規則に基づく電圧パルス・プロトコルが用いられる。電圧パルス・プロトコルは、定義されたパラメータを有する電圧パルスの時間シーケンスに基づいた読出しおよび書込み／消去のサイクルを含む。方法は、リフレッシュ手続きを含み、そこにおいてリフレッシュのためのセルが選択され、リフレッシュ要求がメモリ・デバイス・コントローラによって処理され、リフレッシュ要求が進行中又は予定されたメモリ操作に関してモニターおよび処理され、定義されたパラメータを有するリフレッシュ電圧パルスがリフレッシュのために選ばれたメモリ・セルに供給され、同時に、選択されないメモリ・セルがそれらのセルの分極状態に影響しない電圧又はゼロ電圧に確実に曝される。
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エレクトレット又は強誘電体材料の形の電気的に分極可能なメモリ材料をベースとするメモリ・デバイスの製造方法であって、メモリ・デバイスは、もっぱら又は部分的に印刷プロセスによって供給される回路構造を備えた１又は複数の層を含む。メモリ・デバイスの少なくとも２つの層の間に少なくとも１つの保護用中間層が設けられ、この保護用中間層は、デバイス中の他の層を堆積するために採用される任意の溶剤に対して低い浸透性とともに、低い溶解度を示す。メモリ・デバイス、特にエレクトレット又は強誘電体メモリ材料を含む受動マトリクス・アドレッシング可能なメモリ・デバイスの製造で使用する。
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