処理システムが、基板の底面を露出させるように、それぞれが基板を支持するように構成された複数のチャックと、連続的な経路に沿って複数のチャックを案内するように構成されたトラックと、トラックがそれぞれのチャックを処理装置上で案内するとき、各基板の底面を処理するように構成され、トラックがそれぞれのチャックを処理装置上で案内するとき、各基板の底面に接触するように配置された流体メニスカスを含む処理装置とを含む。
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対象物の表面の少なくとも一部を処理するための流体メニスカスを利用する湿式処理装置および方法である。対象物の表面の１つが処理された後に、対象物の他の側面または表面が同様に処理されうる。いくつかの例を挙げれば、この処理はコーティング、エッチング、めっきでありうる。この装置と方法の用途は、半導体処理産業、特にウェハおよび基板の処理にある。この方法と装置は、電子構成部品の多数の表面の処理をも可能にする。 （もっと読む）

プロセス（例えば液体メニスカスプロセス）中に第一の面と第二の面を有する基板（例えば半導体ウェーハ）を保持するための装置及び方法。本装置は、基板の第一の面に顕著に接触することなく基板の第二の面に接触するように構成された一つ以上の保持用構成要素（例えばフィンガ）を含む。保持用構成要素の少なくとも一つは、この少なくとも一つの保持用構成要素がプロセスに影響を与えること（例えば液体メニスカスに接触する）を防止するように、プロセス中に動かされるように構成され得る。このような構成は、基板が、その上に少なくとも一つの構造体または特徴部を有する上面を含む場合に用いられ得るものであり、保持用構成要素が、プロセス中に構造体または特徴部に接触することを避けることが望ましい。
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