説明

キュースピード セミコンダクター インコーポレーテッドにより出願された特許

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【課題】ソフトリカバリ特性を維持する逆回復電荷を低減した高速リカバリダイオードを提供する。
【解決手段】整流装置100は、第1の極性の基板と、基板に結合された第1の極性の低濃度ドープ層180と、低濃度ドープ層と共に配置された金属層140とを備える。超高速リカバリダイオードは、互いに離間され、低濃度ドープ層内に形成され、第2の極性のドーピングを備える複数のウェル150を含む。複数のウェルは金属層130に接続する。超高速リカバリダイオードは、複数のウェルのウェル間に位置し、低濃度ドープ層より高濃度に第1の極性がドープされた複数の領域160をさらに含む。 (もっと読む)


超高速リカバリダイオード。第1の実施形態において整流装置は、第1の極性の基板と、基板に結合された第1の極性の低濃度ドープ層と、低濃度ドープ層と共に配置された金属層とを備える。超高速リカバリダイオードは、互いに離間され、低濃度ドープ層内に形成され、第2の極性のドーピングを備える複数のウェルを含む。複数のウェルは金属層に接続する。超高速リカバリダイオードは、複数のウェルのウェル間に位置し、低濃度ドープ層より高濃度に第1の極性がドープされた複数の領域をさらに含む。
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高速回復整流器構造体の装置および方法。具体的には構造体は第1のドーパントの基板(120)を含む。第1のドーパントが低濃度ドープされた第1のエピタキシャル層(140)が基板に結合されている。第1の金属層(190)が第1のエピタキシャル層に結合されている。複数のトレンチ(175)が第1のエピタキシャル層内に窪んでおり、その各々が金属層と結合している。装置は各々第2のドーパント型がドープされた複数のウェルも含み、各ウェルは対応するトレンチの下に且つ隣接して形成されている。複数の酸化物層(170)が対応するトレンチの壁および底部上に形成されている。第1のドーパントがドープされた複数のチャネル領域が、2つの対応するウェル間の第1のエピタキシャル層内に形成されている。複数のチャネル領域(150)の各々は第1のエピタキシャル層より高濃度に第1のドーパントがドープされている。
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