本発明は真空蒸着装置及びこれに関連する蒸着方法に関する。基板が設置される蒸着領域を局部的にポンピングするために１つまたはそれ以上のクライオパネルを使用する真空蒸着装置が提供される。本発明は、特に、分子線エピタキシーにおいて高蒸気圧蒸着材料をポンピングしその再蒸発を最小限に抑えるために応用可能である。
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ターゲット基材上に堆積される物質を加熱するための坩堝は、原料物質を含むように構成されている胴部、胴部の第１の端部に形成された基部、および胴部の第２の端部に形成された放出オリフィスを含む。坩堝は、加熱された原料物質が放出オリフィスを通って通過する前に、中間オリフィスを通過し、そして少なくとも１回坩堝胴部の内側表面に衝突するように、少なくとも配置されかつ構成されている１つの中間オリフィスをさらに含む。
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