【課題】ビアチェーンを設けた基板に応力を加えた際に可逆的な抵抗変化が見出されたことを利用して、基板やこの基板を固定した測定対象物に加わる応力をビアチェーンの抵抗変化に基づいて測定する応力測定方法を提供する。
【解決手段】所定の基板１０上にビアチェーン１５とこれに接続するパッド１７、１８を備えたものを測定対象物に固定し、パッド間の電気抵抗を測定することにより、測定対象物に加わる応力が同時に基板１０にも加わる中、この応力の大きさに対応したビアチェーン１５の抵抗変化を外部から検知できることとなり、あらかじめ応力の変化とビアチェーン１５の抵抗変化との関係を把握しておくことでビアチェーン１５の抵抗値から応力の値を取得でき、同じ応力に対しピエゾ抵抗効果の場合に比べ大きく抵抗が変化する性質に基づいて、感度よく測定対象物に加わる応力の測定が行える。 （もっと読む）

【課題】 目視に頼ることなく、基板に対するチップの実装状態を三次元的に評価することができる実装評価構造及び実装評価方法を提供するものである。
【解決手段】 実装評価構造は、実装評価用基板１０の実装面１０ａに配設される複数の第１の電極パターン３０ａと、当該各第１の電極パターン３０ａにそれぞれ対向して実装評価用チップ２０の下面２０ａに配設される複数の第２の電極パターン３０ｂと、からなる複数の静電容量部３０を形成し、複数の静電容量部３０における静電容量を比較し、当該比較結果に基づき、実装評価用基板１０に対する実装評価用チップ２０の実装状態を評価する。 （もっと読む）

【課題】 外部からの荷重による絶縁膜の耐圧力を短時間かつ正確に評価することができる耐性評価用ウェハ及び耐性評価方法を提供するものである。
【解決手段】 耐性評価用ウェハ１００は、基板１上にｌｏｗ−ｋ絶縁膜２を介して対向して配設される一対の第１の配線３及び第２の配線４と、一対の配線のうち第１の配線３に第１のビア５を介して接続され、最上層に配設される第１の接続パッド６と、一対の配線のうち第２の配線４に第２のビア７を介して接続され、最上層に配設される第２の接続パッド８と、基板１に対して垂直な方向における第１の配線３及び第２の配線４の一部に重畳し、ｌｏｗ−ｋ絶縁膜２を介して最上層に電気的に浮遊状態で平面端子として複数配設され、所定の荷重で押圧される押圧パッド９と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ガードリングの外側に発生した損傷を簡単で確実に検出して、半導体チップの実装評価を行うことができるチェックパターン及び実装評価装置を提供する。
【解決手段】ダイシングを行うためのスクライブ領域６からガードリング４の外側領域に、半導体チップ５ａの内側に向かって電気回路２を所定の間隔を隔てて複数並列接続、又は複数並列配置されてなる検出部２０と、当該検出部２０に接続され、前記ガードリング４の外側に配設される出力端子３とを備え、電気回路２の断線によるインピーダンスの変化量に基づいて、ガードリング４の外側領域に発生した損傷の状態を解析する。 （もっと読む）