アイティーエヌ・エナジー・システムズ・インコーポレーテッドにより出願された特許
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銅インジウム二セレン化物をベースとする光起電デバイス及びその光起電デバイスを作製する方法
【課題】可撓性であると共に、デバイスの最大効率を得るために500℃を超えるアニール温度に十分に耐えることができるCIS光起電デバイス用基板を提供する。
【解決手段】銅インジウム二セレン化物(CIS)をベースとする光起電デバイスが、銅、インジウムおよびセレンを含むCISをベースとする太陽光吸収体層を備える。このCISをベースとする光起電デバイスはさらに、シリコーン組成物から形成されるシリコーン層３０６と、金属箔層３１２とを備える基板１０６とを備える。
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銅インジウム二セレン化物をベースとする光起電デバイスおよびそれを作製する方法
【課題】銅インジウム二セレン化物をベースとする光起電デバイスおよびこの光起電デバイスを作製する方法を提供する。
【解決手段】銅インジウム二セレン化物（ＣＩＳ）をベースとする光起電デバイスが、銅、インジウムおよびセレンを含むＣＩＳをベースとする太陽光吸収体層を備える。このＣＩＳをベースとする光起電デバイスはさらに、シリコーン組成物から形成される基板を備える。この基板は、シリコーン組成物から形成されるため、可撓性であると共に、デバイスの最大効率が得られるよう５００℃を超えるアニール温度に十分に耐えることができる。
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銅インジウム二セレン化物をベースとする光起電デバイス及びその光起電デバイスを作製する方法
銅インジウム二セレン化物(CIS)をベースとする光起電デバイスが、銅、インジウムおよびセレンを含むCISをベースとする太陽光吸収体層を備える。このCISをベースとする光起電デバイスはさらに、シリコーン組成物から形成されるシリコーン層と、金属箔層とを備える基板とを備える。この基板は、シリコーン層および金属箔層の存在により、可撓性であると共に、デバイスの最大効率が得られるよう500℃を超えるアニール温度に十分に耐えることができる。 
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銅インジウム二セレン化物をベースとする光起電デバイスおよびそれを作製する方法
銅インジウム二セレン化物（ＣＩＳ）をベースとする光起電デバイスが、銅、インジウムおよびセレンを含むＣＩＳをベースとする太陽光吸収体層を備える。このＣＩＳをベースとする光起電デバイスはさらに、シリコーン組成物から形成される基板を備える。この基板は、シリコーン組成物から形成されるため、可撓性であると共に、デバイスの最大効率が得られるよう５００℃を超えるアニール温度に十分に耐えることができる。 
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