説明

マックス−プランク−ゲゼルシヤフト・ツーア・フェルデルング・デア・ヴィッセンシャフテン・アインゲトラーゲナー・フェラインにより出願された特許

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【課題】
試料の対象となる組織を3次元高分解能投影するため、切替信号によって第1光学特性を有する第1状態から第2光学特性を有する第2状態に繰り返し遷移可能であり且つこの第2状態からこの第1状態に帰還され得る複数の物質から成るグループから1つの物質を選択し、試料の対象となる組織にこの物質によって標識付けし、この物質の遷移させる部分を切替信号によって第2状態に遷移させ、前記試料をセンサアレイ上に投影する。
【解決手段】
物質の前記第2状態に遷移したそれぞれの分子12のうちの少なくとも10%の分子とこれらの分子に最も近く隣接した第1状態にある分子12との間隔が、センサアレイ6上に試料2を投影するときの3次元分解能限界より大きいように、切替信号7の強度が、物質の一部の、第2状態への遷移時に設定されること、及び、互いにより小さい間隔をあけている、第2状態にある分子から放射する測定信号が、互いに十分な間隔をあけている、第2状態にある分子から放射する測定信号から分離される。 (もっと読む)


試料(2)を蛍光顕微鏡法で測定するために、試料(2)の蛍光色素が、所定の波長の光(8)を用いて、ある状態から別の状態へ移行され、その際、光ファイバ(13)の選定、および、この光ファイバ(13)へ入射される前記別の波長を有する光(10)の強度の選定が行われる際、前記入射された波長を有する線の他に少なくとも1つの赤方偏移したストークス線(19から28)を前記光スペクトル(17)が有することができる程度に前記光ファイバ(13)内でラマン散乱が誘導され、前記ストークス線の強度半値幅が、光スペクトル(17)の、青色方向に隣接する線(18から28)までの間隔の半分よりも小さくなるように前記選定が行われて、このような強度でこの種の光ファイバに別の波長の光が入射され、かつ、1つの波長が、赤方偏移したストークス線(19から28)の1つから選定され、さらに、試料(2)からの蛍光(6)が、空間分解して測定される。
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パルス状の励起光(5)を試料に収束して、焦点範囲内に有る蛍光色素が蛍光を自然放出するように励起させ、励起光と異なる波長の脱励起光(10)を試料に照射して、焦点範囲と比べて縮小した測定範囲以外の蛍光色素を蛍光の自然放出前に脱励起させ、蛍光色素から自然放出された蛍光を記録することで、試料内の蛍光色素でマーキングされた構造を高い空間解像度で撮像するために、励起光(5)が多光子プロセスのもとで蛍光色素を励起させるように、励起光(5)の波長を選定するとともに、励起光(5)の波長より短い波長の脱励起光(10)を、励起光(5)の多数のパルス(19)を過ぎても継続して試料(2)に向けている。
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試料の対象となる組織を3次元高分解能撮影するため、切替信号によって第1光学特性を有する第1状態から第2光学特性を有する第2状態に繰り返し遷移可能であり且つこの第2状態からこの第1状態に帰還され得る複数の物質から成るグループから1つの物質を選択し、試料の対象となる組織にこの物質によって標識付けし、この物質の変化する部分を切替信号によって第2状態に遷移させ、前記試料をセンサアレイ上に撮影し、この場合、イメージの3次元分解能限界が、前記試料中の前記物質の最も近くに隣接した分子間の平均間隔より大きく(すなわち、悪く)、前記第2状態にある前記物質のその都度の部分から放射する光学信号を前記センサアレイによって3次元分解して記録するステップが実施される。前記物質の第2状態に遷移したそれぞれの分子のうちの少なくとも10%の分子とこれらの分子に最も近く隣接した前記第2状態にある分子との間隔が、前記試料を前記センサアレイ上に撮影する時の3次元分解能限界より大きいように、前記切替信号の強度が、前記物質の前記部分の前記第2状態への遷移時に設定される。 (もっと読む)


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