基板と、前記基板上に提供された少なくとも一つの半導体層と、前記少なくとも一つの半導体層上に提供され、駆動／検出回路を含む少なくとも一つのチップを備えた回路領域と、前記基板に取り付けられた支持構造と、前記支持構造に取り付けられた少なくとも一つの弾性デバイスと、前記少なくとも一つの弾性デバイスによって支持され、ｘ、ｙ、及びｚ軸方向の少なくとも一つにおいて自由に移動するプルーフマスと、前記少なくとも一つの弾性デバイス上に提供された少なくとも一つの頂部電極と、前記少なくとも一つの弾性デバイスの真下に位置した少なくとも一つの底部電極であって、初期キャパシタンスが前記少なくとも一つの頂部及び底部電極の間に生成されるような底部電極と、を備えており、駆動／検出回路、プルーフマス、支持構造、及び少なくとも一つの頂部及び底部電極は、少なくとも一つの半導体層上に製造されたＭＥＭＳデバイスを提供する。
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ＭＥＭＳデバイスは、チップキャリアの第１の面から第２の面に伸長する音響ポートを有するチップキャリアと、チップキャリアの第１の面の音響ポートを覆うようにチップキャリア上に配置されるＭＥＭＳダイと、チップキャリアに接合されＭＥＭＳダイを封止する封入体とを含む。
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集積回路デバイスは、半導体ダイを含み、この半導体ダイは、半導体基板と、半導体ダイの周辺領域に沿って配置される駆動／制御回路と、半導体ダイの中央領域に配置されるＭＥＭＳデバイスと、駆動／制御回路とＭＥＭＳデバイスとの間に配置されるバリアとを含む。 （もっと読む）