【課題】基板の処理に好適なプラズマ源を提供すること。
【解決手段】基板を処理するための直線形状のプラズマ源であって、 内部にマグネトロンプラズマが生成される放電キャビティであるとともに、内面上に配置されたカソード電極（１６）上にマグネトロンプラズマが生成され、アノード電極が放電キャビティの外部に配置されている、放電キャビティと；放電キャビティの外部に配置された複数の磁石（１，２）であるとともに、放電キャビティ内に無磁界ポイントを形成する、複数の磁石と；を具備し、処理の一様性が、プラズマに対して基板を移動させることにより、あるいは、基板に対してプラズマを移動させることにより、得られている。 （もっと読む）

２つの直線部、および前記直線部を接続する、少なくとも１つの末端転回部を有するレーストラック型プラズマ源を含む、基材にコーティングする装置が提供される。コーティングの構成要素を形成する、ターゲット材料で形成されたチューブ状ターゲットは、終端部を有する。ターゲットは、ターゲット材料のスパッタリングのためにプラズマ源の近位にある。ターゲットはチューブ状の裏当てカソードに固定され、両者は中心軸を中心として回転可能である。ターゲットがコーティングを基材上に堆積するために利用されるのにともない、磁石の組が、カソードの内側に、ターゲットの終端部に向かう末端転回に整列された侵食ゾーンを移動するために配設される。ターゲットの初期重量の最高８７重量％の、ターゲットの利用が達成される。
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プロセスチャンバと、プロセスチャンバへの前駆体ガス入口と、送出口と、プロセスチャンバ内に配置されたプラズマ源とを備える、材料を移動する基材上に蒸着するＰＥＣＶＤ装置が提供される。プラズマ源は、１つ以上の負グロー領域と、１つ以上の陽光柱とを生成する。少なくとも１つの陽光柱は、基材に向かって配置される。プラズマ源、および前駆体ガス入り口は、互いにおよび基材に対して関連して配置され、それにより前駆体ガスは基材に隣接した陽光柱内に注入される。装置は、前駆体ガスを、負グロー領域から離れて陽光柱内に導くように提供される。
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閉ドリフトイオン源の電気絶縁アノード電極に電子を供給するステップを含む、基板の表面を改質するプロセスが、提供される。アノード電極は、正のアノード電極帯電バイアスを有するが、閉ドリフトイオン源の他の構成要素は、電気的に接地され、または電気的浮動電圧を保持する。電子は、イオン形成を誘導する閉ドリフト磁場と交差する。アノード汚染は、ガスの存在下で電極帯電バイアスを負に切り替えることによって防止され、プラズマが、アノード電極の近傍に生成され、アノード電極から汚染堆積物を浄化する。次に、電極帯電バイアスは、反復電子源の存在下で正に戻され、反復イオン形成を誘導し、基板の表面を再び改質する。このプロセスによって基板の表面を改質する装置が、提供される。
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一対のプラズマビーム源は、交流電源の両端に接続されて、基板上に材料を析出させるためのプラズマイオンビームを交互に生成する。各プラズマビーム源は、第１の幅を有する放電キャビティと、そこから外側に延びてイオンビームを放出するノズルを備える。ノズルの開口又は出口は第２の幅を有し、第２の幅は第１の幅よりも狭い。略互いに向き合う複数の磁石は、各放電キャビティに隣接して配置されて、放電キャビティ内に磁界ヌル領域を生成する。イオン化ガスは、各放電キャビティに注入される。交流電源は、各放電キャビティ内の電極に接続され、各プラズマビーム源は、交互に陽極又は陰極の役割をする。陰極としては、少なくとも１つのマグネトロン放電領域が、放電キャビティ内に維持される。動作においては、高密度の均一なプラズマビームが陰極源から放射し、イオンビームが陽極源から放射する。
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交流電源に接続され、かつ接地された基板の一部に近接して配置された、少なくとも１つの電極を備えた新規かつ有用なプラズマ源が提供される。電極は、該電極が交流電源によって負にバイアスされたときにマグネトロンプラズマを電極のところに発生させ、電極が交流電源によって正にバイアスされたときにミラープラズマを基板上に発生させる、センター磁石を有する。
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