【課題】サセプタに複数枚の基板を設置して一度に複数枚の基板に薄膜を成長させる気相成長装置において、ゴミ等の介在やサセプタの設置不良を原因とする膜厚の不均一が生じない気相成長装置を得る。
【解決手段】本発明の気相成長装置１は、回転可能でかつ着脱可能なサセプタ５に複数の基板を載置して各基板に化合物半導体薄膜を成長させる気相成長装置１であって、
サセプタ５の載置状態を判定するサセプタ載置判定装置３を有し、サセプタ載置判定装置３は、回転するサセプタ５における少なくとも2カ所の高さ位置を計測する位置測定装置２２と、位置測定装置２２の計測値を入力してサセプタ５の高さ位置と傾斜が予め定めた許容値の範囲内かどうかを判定する判定手段４７とを備えたことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】ビューポート内面に熱分解生成物などが付着することを防止し、ビューポートからの基板の光学的な監視、測定を確実に行うことができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】シーリングプレート１５で覆われた反応炉１１内に設置した基板１２を、あらかじめ設定された温度に加熱するとともに、前記反応炉内に原料ガスを供給して前記基板面に薄膜を形成する気相成長装置において、前記シーリングプレートの反応炉外部側に設けたビューポート１６と前記シーリングプレートに設けた通孔２３との間に筒状部材２１を配置し、該筒状部材内を、基板表面を監視、測定する光学的測定器２０の測定光を通すための光路とする。 （もっと読む）

【課題】サセプタの交換の際にサセプタの位置ずれの問題が生じない気相成長装置を得る。
【解決手段】本発明に係る気相成長装置は、サセプタ３が着脱可能に設置されて気相成長を行う反応炉５と、サセプタ３を搬送する搬送ロボット７と、搬送ロボット７及び反応炉５が収容されるグローボックス９と、グローボックス９内に設置されてサセプタ３の交換時にサセプタ３を一時的に載置する交換テーブル１１と、グローボックス９の側壁に設けられてサセプタ３の交換を行う交換ボックス１３とを備えた気相成長装置１であって、交換テーブル１１は、サセプタ３が載置されると回転して所定の回転位置で停止することでサセプタ３の回転方向の位置を決める位置決め装置１５を備えてなることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】熱応力によって割れの危険がなく、かつ自動搬送に適したサセプタカバー、及び該サセプタカバーを備えた気相成長装置を得る。
【解決手段】本発明に係るサセプタカバーは、チャンバー２３内に公転可能に設置されると共に、薄膜を堆積させる基板２５が自転可能に載置される複数の基板載置部４７を有するサセプタ２７を備えた気相成長装置１７におけるサセプタ２７に設置されるサセプタカバー１であって、サセプタカバー１は、外形が円形であって、基板載置部４７に対応する部位に開口部５が周方向に連続して設けられてなり、隣接する開口部５の間の部位において内周側１ａと外周側１ｂに２分割されてなり、内周側１ａと外周側１ｂとが、内周部１ａ側又は外周部１ｂ側のいずれか一方を持ち上げると、他方も持ち上げられるような係合部７によって係合されてなることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】転動部材が隣接する転動部材に乗り上がってしまうことを防止することができる自公転機構を備えた気相成長装置を提供する。
【解決手段】加熱手段によって加熱されるとともに駆動手段によって回転するサセプタ１１に、該サセプタの周方向に複数の基板保持部材２１を転動部材（ボール２２，２３）を介して回転可能に設け、前記サセプタの回転に伴って前記基板保持部材を回転させ、該基板保持部材に保持された基板１２をサセプタの回転軸に対して公転させながら自転させる自公転構造を備えた気相成長装置において、前記転動部材として、径が異なる転動部材（大径ボール２２及び小径ボール２３）を交互に配置する。 （もっと読む）

【課題】反応炉から排出される排ガス中に含まれる各種有害成分の除害処理を確実に行うことができるＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】III-Ｖ族化合物半導体材料を成膜する反応炉１２と、原料ガス及びキャリアガスを導入するための原料ガス導入管１４と、反応炉から排ガスを導出する排気管１５に設けられて原料ガスの除害処理を行う原料ガス除害装置とを備えたＭＯＣＶＤ装置において、反応炉の内面に付着した反応生成物を除去するためのクリーニングガスとしてアミン系ガス又は反応炉内でアミン系ガスに変化するガスを供給するクリーニングガス供給源２２を設けるとともに、原料ガス除害装置１８の上流側にクリーニングガスの除害処理を行うクリーニングガス除害装置１７を直列に設ける。 （もっと読む）

【課題】安全かつ簡単に、効率よく反応生成物を除去することができるＭＯＣＶＤ装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】ヒ素（Ａｓ）原子又はリン（Ｐ）原子を含む原料ガスを使用してＧａＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓなどのIII-Ｖ族化合物半導体材料の成膜を行うＭＯＣＶＤ装置の反応炉１２や排気管１５の内面に付着した反応生成物を除去するＭＯＣＶＤ装置のクリーニング方法において、クリーニングガスとしてアミン系ガス又は反応炉内でアミン系ガスに変化するガスと水素ガスとを前記反応炉内に供給して反応生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】原料ガス導入方向とサセプタ回転導入方向とを同一方向としたときのパージガスや原料ガスの流量を一定に保つことができる自公転型の気相成長装置を提供する。
【解決手段】円盤状のサセプタを支持して回転させる中空駆動軸１２の内部に原料ガス供給管２０を同軸に配置し、中空駆動軸と原料ガス供給管との間にパージガス流路２１を形成するとともに、パージガス流路からフローチャンネル１８の外周方向にパージガスを導入するパージガス導入ノズルにおけるガス導入路１９ｃをサセプタの上面に対して平行な方向で、かつ、上下寸法を一定に形成する。 （もっと読む）

【課題】サセプタなどを大型化することなく、一度に気相成長できる半導体薄膜の面積を多くできる自公転型の気相成長装置を提供する。
【解決手段】円盤状のサセプタ１２に形成された円形開口内に設けられた軸受部材１３と、軸受部材に回転可能に載置された均熱板１４と、均熱板上に載置された外歯車部材１５と、該外歯車部材に噛合する内歯車を備えたリング状の固定内歯車部材１７と、外歯車部材に保持された基板１８をサセプタの裏面側から加熱する加熱手段１９と、基板表面に平行な方向に原料ガスを導くフローチャンネル２０とを備えた自公転機構を有する横形気相成長装置において、軸受部材の外径又は外歯車部材の歯車基準円直径を基板の外径より小さい寸法とする。 （もっと読む）

【課題】対向面部材及び／またはサセプタ上面カバーの取外しの際にこれらに付着した生成物の落下によって悪影響を受けることのない気相成長装置を提供する。
【解決手段】チャンバー本体３と、チャンバー蓋５と、チャンバー本体内に設置されて基板が載置されるサセプタ１１と、サセプタ１１に対向配置される対向面部材１３とを備えた気相成長装置であって、対向面部材１３を保持して昇降可能に構成された対向面部材昇降機構１４と、対向面部材昇降機構１４に保持された対向面部材１３の下方に移動して平面視でサセプタ１１を覆うように配置される搬送板１６を有すると共に搬送板１６に対向面部材１３を載置して搬送する搬送装置とを備え、対向面部材昇降機構１４は対向面部材１３の保持と保持解除を行うことができる保持部を備える。 （もっと読む）