【課題】キャリヤの移動度や薄膜トランジスタ等の作製工程における耐エッチング性等が従来以上に優れたＩＧＺＯアモルファス半導体膜を形成することができる透明薄膜形成用材料、及びこの透明薄膜形成用材料を作製するためのＩＧＺＯ焼結体を提供する。
【解決手段】インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７で表される化合物の結晶が主体である透明薄膜形成用の複合酸化物焼結体及び前記複合酸化物焼結体から作製されている透明薄膜形成用材料。前記透明薄膜形成用材料は、成膜用ターゲットであり、気孔率が理論密度比で５％以下のスパッタリングターゲットであり、体積抵抗が１０^−２Ω・ｃｍ以下である。 （もっと読む）