【課題】トランスポンダ及び／又は端末の発振回路が同調されていない場合でも、電磁場内でトランスポンダの存在を検出する方法を提供する。
【解決手段】電磁場を形成し、発振回路を有する端末により非接触通信要素の存在を検出する方法において、前記端末の発振回路を、該発振回路の所定の同調周波数を挟んだ２つの周波数間での可変周波数で励振して、前記発振回路の負荷を示す信号が、基準電圧を超えたか否かを検出して、前記信号が前記基準電圧を超えていない場合に、前記電磁場内に前記非接触通信要素が存在すると判断する。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、少なくとも第１及び第２のメモリセル(Cell_B) を備えた不揮発性メモリ(M) に関しており、第１及び第２のメモリセルは、デュアルゲート(21,23) とデュアルゲート(21,23) 間に設けられた絶縁層(22)とを有する蓄積MOS トランジスタ(T_B') を夫々備えている。第２のメモリセル(Cell_B) の蓄積トランジスタ(T_B') の絶縁層(22)は、第１のメモリセルの蓄積トランジスタの絶縁層より絶縁性が低い少なくとも１つの部分(29)を有している。
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【課題】本発明は、最適な方法で能動トランスポンダを再充電可能な端末、及び端末を構成する方法を提供する。
【解決手段】トランスポンダ用に無線周波の電場のための信号を送ることが可能な端末を構成する方法は、前記トランスポンダが前記端末の送信範囲内に存在するときに、前記トランスポンダが前記電場に存在しない間の前記端末の動作によって決まるオフロード値に応じて、前記端末の振動回路の直列抵抗を適合させるステップを少なくとも１つ備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、単線式の接続部を介した２つのデバイス間のデータ送信に関する方法及びシステムを提供し、単線式プロトコルにおける通信速度の増加を可能にする。
【解決手段】第２デバイスから単線式の接続部を介して第１デバイスに送信されるデータのバイナリ状態を、前記接続部を介して前記第２デバイスに２状態の信号を送信することが可能な第１デバイスによって決定する方法であって、前記バイナリ状態は、前記２状態の信号の立ち上がりエッジの傾斜に応じて決定される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、集積回路の表面積を著しく拡大することなく集積回路の大部分の保護を可能にする、レーザ攻撃から集積回路を保護するデバイスを提供する。
【解決手段】集積回路は、半導体材料からなる基板と、該基板の第１表面側に設けられた活性領域と、レーザ攻撃に対する保護デバイスとを備え、該保護デバイスは、前記活性領域と前記基板の第２表面側との間に設けられた少なくとも１つの第１ドープ領域と、該第１ドープ領域にバイアスを印加するバイアス印加デバイスと、該バイアス印加デバイスによって与えられる電流の継続的増加を検出する検出デバイスとを含む。 （もっと読む）