【課題】故障利用攻撃を検出する方法及び装置を提供する。
【解決手段】複数のブラインディング値を提供し、第１の群のデータ要素、及び、第１の群の少なくとも１つのデータ要素とブラインディング値のうちの少なくとも１つとの間で排他的論理和を実行することによって生成された少なくとも１つの追加的データ要素を有する第１のセットを生成するとともに、第１のセットの各データ要素と複数のブラインディング値のうちの選択した１つとの間の排他的論理和に対応するデータ要素からなる第２のセットを生成し、第１のセットのデータ要素の各々の間で可換演算を実行することによって第１のシグネチャを生成するとともに、第２のセットのデータ要素の各々の間で可換演算を実行することによって第２のシグネチャを生成し、第１のシグネチャと第２のシグネチャとを比較して故障利用攻撃を検出する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子回路の所与の機能又は動作の実行を監視するための方法及び回路を提供する。
【解決手段】デジタル信号(EN)を監視する方法は、第１のP チャネルMOS トランジスタ(P1)を、監視されるべき前記信号が第１の状態にある期間に負バイアス温度不安定性(NBTI)タイプの劣化状態に置くステップと、前記第１のP チャネルMOS トランジスタ(P1)の飽和電流を表す第１の量(V_MES)を、監視されるべき前記信号が第２の状態に切り替わるとき測定するステップと、前記第１の量が閾値(TH)を超えるとき、監視結果を示す検出信号(DET) を与えるステップとを備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、トランスポンダが、通信する必要がある端末にデータを送信する前に、端末を認証できる方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る電圧を生成する発振回路を備えたトランスポンダにより、磁場を生成する端末を認証する方法によれば、前記トランスポンダと前記端末との結合により決まる少なくとも１つの値を、少なくとも１つの基準値と比較し、比較結果に基づき、前記端末を認証する。具体的には、前記少なくとも１つの値に相当する前記発振回路により生成される電圧の値を測定し、前記測定された値と、前記トランスポンダ及び前記端末の結合の最適結合係数に関して前記発振回路により生成される電圧により決まる前記基準値とを比較する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、トランスポンダが、端末にデータを送信する前に端末を認証でき、端末が、トランスポンダにデータを送信する前にトランスポンダを認証できる方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁場を生成する端末により、前記磁場内に存在するトランスポンダを認証する方法によれば、前記端末は、前記トランスポンダの抵抗性負荷の第１の値に関して前記端末によって測定された前記端末の発振回路の電流に関する第１のデータを、前記トランスポンダに送信し、前記トランスポンダは、前記抵抗性負荷の第２の値に関して前記端末の発振回路の電流に関する第２のデータを計算し、計算された第２のデータを前記端末に送信し、前記端末は、前記送信された第２のデータを、前記抵抗性負荷の前記第２の値に関して前記端末によって測定された前記端末の発振回路の電流に関する第３のデータと比較し、前記端末は比較結果に基づき、前記トランスポンダを認証する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、トランスポンダが、端末にデータを送信する前に端末を認証でき、端末が、トランスポンダにデータを送信する前にトランスポンダを認証できる方法を提供する。
【解決手段】電圧を生成する発振回路を備えたトランスポンダにより、磁場を生成する端末を認証する方法によれば、前記トランスポンダは、該トランスポンダの抵抗性負荷の第１の値に関して前記端末によって測定された前記端末の発振回路の電流に関する第１のデータを受信し、前記トランスポンダは、前記抵抗性負荷の前記第１の値及び該抵抗性負荷の第２の値に関して夫々前記発振回路により生成された電圧を測定し、前記トランスポンダは、前記測定された電圧に関する第２のデータと、前記受信した第１のデータとを用いて、前記端末を認証する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、トランスポンダが存在する端末の磁場内におけるトランスポンダと端末との結合係数を評価できる方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る電磁トランスポンダと端末との結合係数を評価する方法によれば、前記トランスポンダの発振回路の２対のインダクタンス値及びキャパシタンス値を、前記発振回路の同調を維持するように選定し、前記２対のインダクタンス値及びキャパシタンス値に関して得られる前記発振回路の電圧の比率を、１又は複数の閾値と比較し、比較結果に基づき、前記結合係数を評価する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、トランスポンダが存在する端末の磁場内におけるトランスポンダと端末との結合係数を評価できる方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る電磁トランスポンダと端末との結合係数を評価する方法によれば、前記トランスポンダの抵抗性負荷の２つの値に関して得られる前記トランスポンダの発振回路の電圧の比率を、一又は複数の閾値と比較し、比較結果に基づき、前記結合係数を評価する。更に本発明では、前記発振回路の両端間に設けられている整流器によって与えられる直流電圧を、前記抵抗性負荷の前記２つの値の夫々に関して測定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、トランスポンダが端末によって発せられる磁場から取り出す電力に応じて処理を実行するために、トランスポンダの能力を評価できる方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁場を生成する端末の該磁場内の電磁トランスポンダにより、該トランスポンダが前記磁場から取り出し得る電力を評価する方法は、前記トランスポンダと前記端末との結合係数を評価するステップと、前記評価された結合係数に基づき、前記結合係数を評価した位置で利用可能な電力を推定するステップとを備えている。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップの基板が薄くなった箇所を検出する装置を提供する。
【解決手段】ＩＣチップの基板が薄くなった箇所を検出する装置は、基板の活性領域に、ホイートストン・ブリッジとして接続された、棒形状の分散された複数の抵抗を備え、ブリッジの第１の対向する抵抗の組は、第１の方向に向いており、ブリッジの第２の対向する抵抗の組は、第２の方向に向いており、第１及び第２の方向は、基板が薄くなった箇所がブリッジの不均衡値を変化させる方向である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば、電子回路の電力消費の分析等によるサイドチャネル攻撃、又は故障注入攻撃から電子回路における素数の生成を保護する方法を提供する。
【解決手段】連続した候補数の素数特性の判定に基づく電子回路による少なくとも１つの素数の生成を保護する方法において、前記候補数毎に、少なくとも１つの第１の乱数を含む参照数を計算し、累乗モジュールの計算に基づく少なくとも１つの素数判定を行い、前記素数判定により素数であると判定された候補数毎に、前記候補数と前記参照数との間の無矛盾性を判定する。 （もっと読む）