説明

気相成長株式会社により出願された特許

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【課題】爆発の危険性が高いSiHを用いずとも、安全、比較的低温度で、しかも低廉なコストでSi系膜を提供できる技術を提供することである。
【解決手段】Si系膜を形成する為の膜形成材料であって、前記膜形成材料が、t−CSiX(Xは任意の基)と、前記t−CSiXと反応する反応性化合物とを有する。 (もっと読む)


【課題】効率良く、大量に、かつ、安価に、(RCp)M(MはMg又はBe)を製造する技術の提供。
【解決手段】固体状金属Mと気体状化合物RCp(R,R,R,R,RはH又は炭化水素基、Cpはシクロペンタジエニル基)との反応において、反応空間と保存空間との境界部に設けられた連通部を有する仕切板17上に固体状金属M2が供給されるM供給工程と、反応空間に気体状化合物が供給されるRCp供給工程と、前記仕切板上に存する固体状金属Mの下方側が加熱される加熱工程と、前記仕切板上に存する固体状金属Mの上方側が冷却される冷却工程と、前記仕切板上に存する固体状金属Mが少なくなった場合、固体状金属Mが仕切板上に補給されるM補給工程とを具備する製造方法とその装置。 (もっと読む)


【課題】高純度のトリアルキルアルミニウムを提供することである。
【解決手段】酸素を有するトリアルキルアルミニウムと、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムとを接触させるトリアルキルアルミニウムの製造方法。 (もっと読む)


【課題】大量、かつ、安価にトリアルキルガリウムを製造できる技術を提供することである。
【解決手段】ガリウムとマグネシウムとを有する組成物と、気相状態のハロゲン化アルキルとを、60℃以上の温度下で、接触させる接触工程を有するトリアルキルガリウムの製造方法。 (もっと読む)


【課題】爆発の危険性が高いSiHを用いずとも、安全、比較的低温度で、しかも低廉なコストでSi系膜を提供できる技術を提供することである。
【解決手段】Si系膜を形成する為の膜形成材料であって、
前記膜形成材料がt−CSiXを有する。 (もっと読む)


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