【課題】垂直磁気記録媒体の製造方法が提供される。
【解決手段】垂直磁気記録媒体が、基板、該基板上の下層、該下層上の中間層及び該中間層上の記録層を備える。この下層が、第一軟質下層、該第一軟質下層上の反強磁性的に結合されたＲｕ層、該反強磁性的に結合されたＲｕ層上の第二軟質下層、及び該第二軟質下層上の方位制御層を備え、この方法が、下層を形成する間、基板に負バイアス電圧を印加するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】基板上の垂直磁気記録媒体が開示される。
【解決手段】垂直磁気記録媒体が、記録層を有する。記録層が、第一粒状記録層及び第二粒状記録層を含む。第一粒状記録層と第二粒状記録層との間に交換層を含んでよい。付加的に、又は代替的に、第一粒状記録層と第二粒状記録層の飽和磁化比が、１より大きくてよく、及び／又は、第二粒状記録層の磁気異方性と比較して、第一粒状記録層が、相対的に高い磁気異方性を有してよい。その形成方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、渦電流障壁を備えた磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）に関し、特に渦電流障害を軽減するための渦電流障壁を備えたＭＲＡＭに関する。
【解決手段】基板上に複数の層を備えた磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）が開示される。複数の層は、ピン止め層と、フリップ層と、ピン止め層及びフリップ層の間の少なくとも１つの絶縁層とを含む。渦電流側壁は、複数の層の内の少なくともピン止め層を密閉する。渦電流側壁は、電気絶縁用の粒子絶縁層と、磁気分離用の磁気障壁層とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）及びその改良に関し、特にＭＲＡＭ装置における低抵抗セルを容量セルに変換する方法に関する。
【解決手段】ＭＲＡＭ装置における低抵抗セルを容量セルに変換する方法が開示される。低抵抗セルは基板上に複数の層を備える。基板から離れた少なくとも１層は、酸素注入の影響を受けやすい。この方法は、基板から離れた少なくとも１層の表面の少なくとも一部を露出させるために、セルのキャップ層を除去する段階と、セルの周囲に酸素バリアを適用する段階とを含む。前記少なくとも１層は酸化される。酸素バリアは除去される。 （もっと読む）