【課題】チョクラルスキー法による単結晶シリコンの製造において、育成中の実際の引き上げ速度と名目の引き上げ速度との間の速度偏差を補正する方法およびそのための結晶引き上げ機構を提供する。
【解決手段】処理装置において、結晶引き上げ機構が実際の速度で移動した際に結晶引き上げ機構の位置の変化を決定し、前記処理装置上でフィルター関数を実施し、前記処理装置において、検出した位置の変化に基づいてフィルター関数に関する新しいフィルター状態を推定し、前記処理装置において、推定した新しいフィルター状態を用いて結晶引き上げ機構の新しい位置を推定し、位置推定誤差を決定し、前記処理装置において、フィルター関数に関する次のフィルター状態のフィルターゲインを決定し、そして、次のフィルター状態に関する一つ以上の推定されたフィルターゲインを用いて次の期間の間に結晶引き上げ機構の実際の速度を補正する。 （もっと読む）

【課題】成長するシリコンインゴットの直径を正確に測定できるシリコンインゴットの成長を制御する方法及び装置を提供する。
【解決手段】カメラは成長するシリコンインゴットとシリコン融液との界面リングの画像を取得する。画像プロセッサは取得された画像から局所強度最大点を抽出し、次いで局所強度最大点を形成する画素の属性を含む画像データへデジタル化される。アナライザは、画像データを統計的に分析して、界面リングを統計的に再現する式のパラメータを導く。確率フィルタは、それぞれの画素が重み係数により重み付けされた式に対して統計分析を実行する。重み係数は界面リングを表さない画素により引き起こされるノイズの効果を弱める働きをする。統計分析は、更新されたパラメータを使用して繰り返して、ノイズの効果を徐々に弱めてシリコンインゴットの満足に正確な直径を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体結晶の成長を改善するための方法および結晶製造装置を提供する。
【解決手段】半導体結晶成長方法は、公称引き上げ速度で、ルツボ１００６中の融液１００８から結晶１００４を引き上げる工程と、ルツボ１００６中の融液レベルの減少を補償する、ルツボ持ち上げ信号を発生する工程と、結晶１００４の直径に基づいて、修正信号を発生する工程と、直径を実質的に一定にしておくために、ルツボ持ち上げ信号と修正信号とを組み合わせる工程とを具える。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー(ＣＺ)プロセスによる単結晶シリコンインゴットの成長プロセスにおいて、その成長プロセスの間、単結晶シリコンインゴットの直径を正確に制御する方法および装置を提供する。
【解決手段】ＣＺ結晶成長装置は、センサ１５から直径情報を、センサ１９から温度情報を取り込んだコントローラ２２はサーボモータ２０およびヒータ７を制御することによって、インゴット５の直径を制御する構成となっている。成長プロセスの間、直径と引き上げ速度との間の時間領域における二次の関係を、インゴットのメニスカステーパと引き上げ速度との間の長さ領域における線形の関係に変換し、これに長さ領域において動作する線形制御(修正されたＰＩＤ)を適用し、長さ領域におけるインゴットテーパと引き上げ速度との間の線形の関係を有するシステムを制御することにより、成長するシリコンインゴットの直径を制御する。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法において、結晶成長フロント(結晶−融液界面)での温度勾配にもとづいた結晶成長プログラムの性能改善方法を提供する。
【解決手段】半導体結晶を成長するための方法および装置は、所定の引き上げ速度で融液から半導体結晶を引き上げるステップと、周期的な引き上げ速度を平均速度と組み合わせることによって前記引き上げ速度を調整するステップとを具える。引き上げ速度の調節は、結晶形成中に、融液中および結晶中の特有の温度勾配のその場決定を可能にする。温度勾配は、例えば、成長中の結晶中の温度勾配を決定する結晶の目標引き上げ速度または融液ギャップのような、完成した結晶中の形態安定性または固有の材料特性に影響を与える、関連するプロセスパラメータの制御に用いられる。 （もっと読む）