説明

テヒニッシェ ウニフェルジテート ダルムシュタットにより出願された特許

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活性層(2)の上面および下面が、各々活性層(2)と比較して高ドープされた同一材料の隣接コンタクト層(4)に接しているガンダイオード(1)に関し、接触抵抗を低くし、雑音等の障害が発生するのを防止することを目的とする。このため本発明によれば、コンタクト層(4)の少なくとも1つの外側領域(12)が、各コンタクト層(4)と比較してなお一層高ドープされた同一材料の外側コンタクト層(14)で構成されている。 (もっと読む)


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