【課題】誤り訂正回路の大きさを抑制する誤り訂正方法と誤り訂正装置を実現する。
【解決手段】
誤り訂正単位２１０は誤りビットの個数が少ないページ内の一領域であり、誤り訂正単位２２０は誤りビットの個数が多いページ内の一領域である。誤り訂正単位２１０は、ユーザデータ領域２１１と第１冗長領域２１２と第２冗長領域２１３とを含んでいる。また、誤り訂正単位２２０は、ユーザデータ領域２２１と第１冗長領域２２２と第２冗長領域２２３とを含んでいる。そして、ユーザデータ領域２１１及び２２１にある誤りを訂正するための第１組の冗長ビットは第１冗長領域２１２及び２２２にそれぞれ記憶される。誤りビットの個数が多いページ内のユーザデータ領域２２１にある誤りを訂正するための第２組の冗長ビットは、誤りビットの個数が少ないページ内の第２冗長領域２１３及び誤りビットの個数が多いページ内の第２冗長領域２２３に分散されて記憶される。 （もっと読む）

【課題】ヒストグラムを利用して、記録媒体から読み取ったデジタルデータのアシンメトリを補正する。
【解決手段】デジタルデータの各出力値の出現回数を該出力値の関数として表現して作成したヒストグラムにおいて、補正後の出力値の分布の対称の中心となるべき値をチェックポイント値として求める（Ｓ１０２、Ｓ１０３）。該チェックポイント値よりも大きいデジタルデータの各出力値の集合と、該チェックポイント値よりも小さいデジタルデータの各出力値の集合とに対して、アシンメトリによる波形歪みが相対的に小さい方の集合にある出力値を基準値として、他方の集合にある出力値を補正する（Ｓ１０４）。また、ヒストグラムを用いたアシンメトリ補正をビタビ復号に適用する。 （もっと読む）

【課題】 簡易な回路構成または手順によりＮＡＮＤ型フラッシュメモリの誤り訂正の精度を向上させる。
【解決手段】０と１とからなるデジタルデータストリングの一定のセクションの中で、０と１のそれぞれの数のうち、エラーが出やすい方の数があるパーセント値以下になるように変換する変換ステップ（Ｓ１０５）と、変換されたデータをＮＡＮＤ型フラッシュメモリに保存する保存ステップ（Ｓ１０６）と、該ＮＡＮＤ型フラッシュメモリから保存されたデータを読み出す読み出しステップと、読み出されたデータを元のデジタルデータストリングに戻すための逆変換操作を行う逆変換ステップとを含んでなるＮＡＮＤ型フラッシュメモリの入出力制御方法とそれを利用した入出力制御装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】数え上げ法において、各状態についての重みまたはパスの総数を記憶することなく、重みあるいはその近似値を計算により求め、符号化または復号を行う。
【解決手段】ｎビットの入力データについての系列内の順位を示すインデックスを算出し、トレリス線図において、次時点のある状態を始点として終点に至るまでにとり得るパスの総数をその次時点における当該状態の重みと定義して、その重みに近似する値を数値計算し、現時点から次時点への状態の遷移をインデックスと次時点の状態の重みに近似する値とに基づいて、現時点の状態から続く複数のパスのうちいずれか１つを選択することにより決定し、決定されたパスに対して割り当てられた値を符号のシンボル値として決定し、そのパスが所定の条件に当てはまる場合にインデクスを正規化し、決定したパスに従って状態を次の時点に遷移させて状態を更新し、重み算出から状態更新までをＮ回繰り返す。 （もっと読む）