説明

エルジー イノテック カンパニー リミテッドにより出願された特許

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【課題】構造的剛性が確保された幅が細いベゼルを具現できるバックライトユニット及びこれを含む映像表示装置を提供する。
【解決手段】バックライトユニットは、相互離隔されて配置された複数の第1モールド部11と、複数の第2モールド部13を含み、第2モールド部13は連続的に配置された2つの第1モールド部11の間に配置され、第1モールド部11は第2モールド部13より外側方向にオフセットされて階段状に交互配置されたパネルガイドモールド10と、相互離隔されて配置された複数の第1側壁と複数の第2側壁を含み、第2側壁は連続的に配置された2つの第1側壁の間に配置され、第1側壁は複数の第1モールド部11中の対応する1つに結合され、第2側壁は複数の第2モールド部13中の対応する1つに結合されるボトムカバーと、パネルガイドモールド10とボトムカバーの間に配置される光供給部30と、を含む。 (もっと読む)


【課題】リードフレームが外部空気に露出されることにより発生されるリードフレームの酸化を防止することができる発光素子パッケージを提供する。
【解決手段】キャヴィティ114を含むハウジング110と、キャヴィティ内に配置される発光素子120と、キャヴィティ内で上記発光素子と電気的に連結される第1部分と第1部分から延びハウジングを貫通する第2部分と第2部分から延び外部空気に露出された第3部分とを含むリードフレーム131,132と、リードフレームの第2部分のうち上記ハウジングから離隔された領域に提供された金属層145と、を含む発光素子パッケージ100を提供する。 (もっと読む)


【課題】n−電極パッドからp−電極の間に流れる電流の有効の長さをできるだけ均一にすることで、水平方向の電流による効果を相殺し、全体的なLEDにおいて電流密集現象を改善し、光抽出効率を向上させる。
【解決手段】基板140と、前記基板の上に第2導電型半導体層130と、前記第2導電型半導体層の上に活性層120と、前記活性層の上に形成される第1導電型半導体層110と、前記第1導電型半導体層の上に第1電極165と、を含み、前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層の間の垂直距離が相違する発光素子。 (もっと読む)


【課題】基板内の収納溝に配置される発光デバイスの間隔及び数を調節できる発光モジュール及びこれを備えるライトユニットを提供する。
【解決手段】パッケージボディ、前記パッケージボディに設けられる発光ダイオード、及び前記発光ダイオードと電気的に連結されて前記パッケージボディの外側に突出される複数のリード電極135,136を含む複数の発光デバイス130と、前記発光デバイスの複数のリード電極が嵌合結合される複数の収納溝117を備える基板110により、発光モジュール100を構成する。 (もっと読む)


【課題】発光ダイオードがターゲットランクを外れたランクである場合にも、プライマー層によってターゲット領域への色座標分布に移動させることにより発光ダイオードの使用歩留まりを改善する。
【解決手段】発光素子100は、本体110と、前記本体上に発光ダイオード120と、前記発光ダイオード上に樹脂層150と、前記樹脂層上に金属材料を有するプライマー層160とを含む。前記プライマー層はゴム材料と金属(又は伝導性)材料の化合物からなる。 (もっと読む)


【課題】蛍光体及び発光装置を提供する。
【解決手段】実施例による蛍光体は、Lz1z2:Aの化学式で表示される。(ここで、Lはアルカリ土類金属、遷移金属、Zn、Cd、Al、Ga、In、Tl、GeまたはSnのうち少なくとも何れか一つであり、MはB、Si、P、S、F、Cl、IまたはSeのうち少なくとも何れか一つであり、Aはアルカリ稀土類金属または遷移金属のうち少なくとも何れか一つであり、0<x≦5、0≦y≦5、1≦z1≦10、1≦z2≦10、0<a≦1である。) (もっと読む)


【課題】複数の発光ダイオードから放出される光の色座標分布を目標色座標分布に変換する色座標変換層を含むライトユニット及びこれを備える表示装置を提供する。
【解決手段】導光板と、前記導光板の一側に配置されて光を放出する複数の発光ダイオードを含む発光モジュールと、前記導光板の上に配置されて面光源の色座標分布を目標色座標分布に移動させる色座標変換シートとを含むライトユニット。 (もっと読む)


本発明は半導体発光素子に関するものである。
本発明の半導体発光素子は3族-5族化合物半導体層を含む発光構造物と、前記発光構造物の下に互いに異なる媒質が交互に積層された反射膜と、前記反射膜の下に第2電極層を含む。
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本発明は、発光素子パッケージ及びその製造方法に関するものである。
本発明に係る発光素子パッケージは、 基板と、上記基板の上に発光素子と、上記基板の内に第1導電型のドーパント領域と、上記第1導電型のドーパント領域内の2つの領域に離隔して形成された第2導電型のドーパント領域を含むツェナーダイオードと、上記第2導電型のドーパント領域及び上記発光素子と電気的に連結される第1電極層及び第2電極層と、を含む。
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本発明は、発光デバイスパッケージ及びその製造方法に関するものである。
本発明に従う発光デバイスパッケージは、キャビティを含むパッケージボディと、上記パッケージボディの表面にシード層と、上記シード層の上に導電層と、上記導電層の上にミラー層と、上記キャビティに発光デバイスと、を含む。
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