説明

エスピーピー プロセス テクノロジー システムズ ユーケー リミティドにより出願された特許

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【課題】従来の装置の構成では、エッチング工程の終点を示すのに緩慢な反応を示す場合があり、終点の検出が困難であった。
【解決手段】本発明の、ワークピースを化学的にエッチングする装置10は、プロセスガスを受け入れて排気ガスを抜き出すポンピングポート16を有するチャンバ11と、ポンピングポート16の上流側においてチャンバ11内に配置されるワークピース支持部12と、を備える。チャンバ11は、さらに、ポンピングポートの上流側且つワークピース支持部の下流側に配置されるサブチャンバ15を備え、サブチャンバ15は、窓部19と、その窓部に近接した励起源であって、排気ガスの標本にプラズマを発生させて窓部19を通じて監視可能な光学的発光を発生させる励起源とを備える。 (もっと読む)


【課題】チャンバ内に置かれるタイプの全体に平坦な加工品に細長い特徴部分をプラズマエッチングするための方法を提供する。
【解決手段】該方法は、チャンバ内に平らに配置されている試験加工品13をエッチングすること、加工品に直角に通る軸に対して特徴部分16の長手方向の部分のそれぞれの角度を決定すること、及び少なくとも加工品の中央部分に渡って角度を略0°に低減するのに必要とされる加工品の曲率を決定することとを含んでいる。更に、この方法は、加工品が決定された曲率で曲げられている一方で、同じタイプの加工品をさらに処理することを含んでいる。 (もっと読む)


【課題】金属による高い側壁被覆率を達成することが可能なプラズマ蒸着方法を提供する。
【解決手段】本発明は、対象物の凹部中に金属をプラズマ蒸着する方法に関する。この方法は、ArとHeおよび/またはNeの混合物をスパッタガスとして用い、Heおよび/またはNe:Arの比率を少なくとも約10:1とすることによって、凹部中の底面における金属の再スパッタを達成する。 (もっと読む)


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