【課題】耐圧が高く、かつ、リーク電流が効果的に低減された窒化物半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板２１０と、ベース基板の上方に形成されたバッファ層２８０と、バッファ層２８０上に形成された活性層２９０と、活性層の上方に形成された少なくとも２つの電極２９２および２９４とを備え、バッファ層２８０は格子定数の異なる複数の窒化物半導体層を含む複合層を１層以上有し、複合層の少なくとも１層は、複数の窒化物半導体層のうち格子定数が最も大きい窒化物半導体層のキャリア領域に予め定められた濃度の炭素原子及び予め定められた濃度の酸素原子が意図的にドープされている窒化物半導体素子。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系半導体で形成された半導体層を有する半導体素子において、消費電力を増大させず、かつ、大型化することなく、半導体素子の電極に電圧をかけたときに発生する電流コラプス現象を抑制する。
【解決手段】窒化ガリウム系半導体が積層されて形成された半導体素子と、半導体素子に対して積層方向に形成され、外部からのエネルギーの入力なしで半導体素子に光を照射する自己発光体とを備える半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された窒化ガリウム系半導体で形成された半導体層におけるドーパント濃度がばらつくと、半導体層を用いた半導体装置の特性がばらつくので、半導体層におけるドーパント濃度のばらつきが抑えられた層を有する半導体基板を得る。
【解決手段】基板に、窒化ガリウム系半導体で形成された半導体層を形成する半導体層形成段階と、半導体層に、中性子線を照射して、半導体層に含まれるガリウム原子の一部をゲルマニウム原子に変換する照射段階と、を備える半導体基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】電流抑制部を有する半導体デバイスパッケージを提供する。
【解決手段】ノーマリーオン型の第１トランジスタと、ドレインが、第１トランジスタのソースと接続され、第１トランジスタとカスコード接続されたノーマリーオフ型の第２トランジスタと、第２トランジスタのソースと第１トランジスタのゲートとの間に設けられた、第２トランジスタのソースから第１トランジスタのゲートへと流れる電流を抑制する電流抑制部と、第１トランジスタ、第２トランジスタ及び電流抑制部を封止する封止部と、第１トランジスタのドレインに接続され、封止部の外に延伸したドレイン端子と、第２トランジスタのゲートに接続され、封止部の外に延伸したゲート端子と、第２トランジスタのソースに接続され、封止部の外に延伸したソース端子と、を備える半導体デバイスパッケージを提供する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型のＧａＮ系半導体装置を提供する。
【解決手段】第１導電型のキャリアガスが発生した第１チャネル層１０６と、第１チャネル層１０６上に、第１チャネル層１０６よりバンドギャップが大きいＧａＮ系半導体で形成されたバリア層１１０と、バリア層１１０上に、バリア層１１０よりバンドギャップが小さいＧａＮ系半導体で形成され、第２導電型のキャリアガスが発生した第２チャネル層１１２と、第２チャネル層１１２にオーミック接続する第１ソース電極１１８と、第２チャネル層にオーミック接続する第１ドレイン電極１２０と、第１ソース電極１１８及び第１ドレイン電極１２０の間に形成された第１ゲート電極１２２と、を備え、第２導電型のキャリアガスのキャリア濃度が、第１ゲート電極１２２の下の領域で、第１ソース電極１１８及び第１ドレイン電極１２０の間の他の領域より低く、かつ、第１ゲート電極１２２により制御されるＧａＮ系半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜の破壊を防止すると共に、信頼性を向上させた、ノーマリオフの双方向動作が可能な窒化物系半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体素子１０は、第１ＭＯＳＦＥＴ部３０及び第２ＭＯＳＦＥＴ部３１を備えており、第１ゲート電極２６と第２ゲート電極２７との間に設けられた第１ＳＢＤ金属電極２８及び第２ＳＢＤ金属電極２９がＡｌＧａＮ層２０とショットキー接合されている。第１ＳＢＤ金属電極２８と第１電極２４とが接続されており、電気的に短絡していると共に、第２ＳＢＤ金属電極２９と第２電極２５とが接続されており、電気的に短絡している。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのゲートへの電流を防ぐ。
【解決手段】ノーマリーオン型の第１トランジスタと、ドレインが、第１トランジスタのソースと接続され、第１トランジスタとカスコード接続されたノーマリーオフ型の第２トランジスタと、第２トランジスタのソースと第１トランジスタのゲートとの間に設けられた、第２トランジスタのソースから第１トランジスタのゲートへと流れる電流を抑制する第１電流抑制部とを備えるトランジスタ回路を提供する。 （もっと読む）

【課題】ダイオード部とトランジスタ部の面積比率を自由に設定することが可能な窒化物系半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】第１ＨＥＭＴ部３０及び第２ＨＥＭＴ部３１から成るトランジスタ部１と、第１電極２４と電気的に短絡された第１ショットキー電極２８及び第１ゲート電極２６と電気的に第２ショットキー電極２９から成るダイオード部２と、を備えて構成されている。また、第１電極２４と第２電極２５との間の領域に第１電極２４に沿って、第１ゲート電極２６及び第１ショットキー電極２８が交互に形成され、かつ、第２電極２５に沿って、第２ゲート電極２７及び第２ショットキー電極２９が交互に形成されている。さらに、第１ゲート電極２６と第２ゲート電極２７とは、対向して形成されており、第１ショットキー電極２８と第２ショットキー電極２９とは対向して形成されている。 （もっと読む）

【課題】バッファ層を有する半導体素子において、チャネルの基準電位を固定する半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板上に設けられ、エネルギーギャップの異なる複数種類の窒化物半導体が積層された積層体を少なくとも１層有するバッファ層２０と、バッファ層上に設けられた窒化物半導体のチャネル層３０と、バッファ層の側面に電気的に接続された側面電極６０と、チャネル層の上方に形成され、チャネル層と電気的に接続されたチャネル電極５２，５６とを備える半導体素子。 （もっと読む）

【課題】耐量の大きいダイオードを提供する。
【解決手段】ショットキーダイオードであって、窒化物半導体で形成された半導体層と、半導体層上に形成され、半導体層にショットキー接続されたショットキー電極と、を備え、ショットキーダイオードに逆バイアスがかかったときに、ショットキー電極の端部の下方の半導体層において空乏化する領域は、ショットキー電極の他の一部の下方の半導体層において空乏化する領域より長いショットキーダイオードを提供する。 （もっと読む）