本開示は、不揮発性メモリデバイス及び関連する製造及び動作方法を提供する。このデバイスは、メモリデバイスに予測可能性を与えるための技術を使用する１又はそれ以上の抵抗変化メモリ（ＲＲＡＭ）を有し得る。特に、特定の設計に要する形成電圧を、バリヤ層、逆極性形成電圧パルス、電子が小さい仕事関数を有する電極から注入される場合の形成電圧パルスの使用を通して、又は還元環境でのアニールの使用を通して減らし得る。１又はそれ以上のこれらの技術を、所望のアプリケーション又は結果に応じて適用し得る。 （もっと読む）

本開示は、半導体素子層と、関連するメモリセル構造とを製造する方法を提供する。半導体素子層の表面処理工程（イオン衝撃など）を行い、入念な深さプロファイルを有する欠陥を生成することによって、より安定した電気的パラメータを有する多安定メモリセルを生成する。例えば、抵抗スイッチングメモリセルでは、セット電圧とリセット電圧のより厳格な割り当てとより低い形成電圧とを得て、デバイスの歩留まりと信頼性の改善に導く。少なくとも一実施形態では、欠陥の種類と衝突させられた金属酸化物層の電気的性質へのそれらの影響とを調整し、均一な欠陥分布を強化するよう深さプロファイルが選択される。 （もっと読む）

第１電極、第２電極、第１電極と第２電極間の金属酸化物を有するメモリ素子を含む不揮発性抵抗スイッチングメモリが記載される。金属酸化物はバルク媒介スイッチングを用いてスイッチし、４電子ボルト（ｅＶ）より大きいバンドギャップを有し、金属酸化物の厚さ１００オングストローム当たり少なくとも１ボルトのセット動作用のセット電圧を有し、金属酸化物の厚さ２０オングストローム当たり０．５ボルト（Ｖ）で測定された１平方センチメートル当たり４０アンペア（Ａ／ｃｍ^２）以下の漏れ電流密度を有する。 （もっと読む）

基板の複数の領域を指定するステップと、前駆体を複数の領域の少なくとも第１の領域に供給するステップと、第１の前駆体を用いて形成された第１の領域上に第１の材料を堆積するように、プラズマを第１の領域に供給するステップとを含む組合わせプラズマ励起堆積技術を記載しており、第１の材料は基板の第２の領域上に形成される第２の材料と異なるものである。 （もっと読む）

組み合わせ処理チャンバが提供される。組み合わせ処理チャンバは、基板を支持するよう構成された回転可能な基板支持部の動径部分を隔離するよう構成される。一実施例では、チャンバは、複数の一群のプロセスヘッドを有している。一実施例では、基板支持部とプロセスヘッドとの間に配置されたベースプレートを有する挿入物が、蒸着処理のための閉じ込め領域を規定する。ベースプレートは、蒸着材料が基板にアクセスし得る穴部を有している。基板の回転及び穴部の移動を通して、基板の複数の領域が、１つの基板上に組み合わせ処理を実行するためにアクセス可能である。 （もっと読む）

本発明の様々な実施形態が、基板及び処理ヘッドの相対移動を提供して、最小間隔でウェーハ全体にアクセスして、様々な基板領域に組合せ処理を誘導する。ヘッドは記載のチャンバ内で部分分離された処理を可能にし、同一物を用いる方法が記載される。 （もっと読む）

組合せ処理チャンバおよび方法が提供される。その方法においては、流体ボリュームが基板の表面上を流れ、基板の分離領域が、隣接する領域が曝される構成成分とは異なる構成成分の混合物に同時に曝されるようにするために、流体ボリュームの異なる部分が、異なる構成成分を有する。基板の表面上に流体ボリュームを複数回流すことにより、異なる方法で処理された分離領域が生成される。 （もっと読む）