説明

エスティマイクロエレクトロニクス(ルッセ)エスエーエスにより出願された特許

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【課題】集積回路の動作中に集積回路の少なくとも一部の電流の結果生じる集積回路の少なくとも1つの領域内の少なくとも1つの温度勾配の生成、及び前記温度勾配により電気エネルギーを生成する手段を備えた集積回路の提供。
【解決手段】少なくとも1つの熱電気材料MTHを含み集積回路の動作中に集積回路の少なくとも一部PSTA、PSTBにおける電流の流れにより生じる少なくとも1つの温度勾配にさらされるように構成された少なくとも1つの領域RG、及び前記領域に接続されて熱電気材料MTHにより生成された電気エネルギーを伝えるための電気的伝導出力手段を備えた集積回路。 (もっと読む)


【課題】集積回路中での電気エネルギーの生成方法を提供する。
【解決手段】集積回路CI内に作られ且つ少なくとも1つのピエゾ電気素子EPZIを含む少なくとも1つの三次元閉鎖空間CG、三次元閉鎖空間CG或いは各三次元閉鎖空間CG内に運動自由運動状態に備えられた少なくとも1つの物体BL、及びピエゾ電気素子EPZIに接続され、物体BLと対応する閉鎖空間CGとの間の相対運動中の物体BLiとピエゾ電気素子EPZIとの少なくとも1つの衝突の結果の電気エネルギーを伝達するように構成された、電気伝導出力手段MSEを備える。 (もっと読む)


【課題】メモリ・デバイス上の故障注入による攻撃を検知する。
【解決手段】メモリ・デバイスがデータ・ビット及びmパリティ・ビットを備えたブロック(BL)を貯蔵するメモリ・プレーン(PM)のグループ、及び、ブロックの各ビットを読出す手段(ML)及びブロックの読出時に各データ・ビットの読出値及び各パリティ・ビットの読出値に基づきパリティ・チェックをする検証手段を備えた故障注入攻撃検知手段を備え、メモリ・プレーン(PM)はmメモリ・セルの別々のパケット(PQ)を形成するよう前記グループのメモリ・セル間に配置された参照メモリ・セルを備え、各参照メモリ・セルは故障注入攻撃の間に参照値で変更される参照ビットを貯蔵し、mメモリ・セルの各パケットは、異なるパリティに関連するブロックのmビットを貯蔵する。 (もっと読む)


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