【課題】 半導体装置において、欠陥を減少させ、静電気放電に対する保護能力を高める。
【解決手段】 上面１２Ａおよび上面１２Ａに配置された複数のバンプ３０を備えた基板１であって、バンプ３０の各々が、上面１２Ａに対して実質的に平行な頂面３２および頂面３２と上面１２Ａとの間の複数の壁面３４を有するものである基板１２、および基板１２上に配置されたエピタキシャル層であって、基板１２の上面１２Ａおよびバンプ３０の壁面３４に実質的に同じ結晶方位を有するエピタキシャル層を備える。また、別の態様において、エピタキシャル層は、基板１２上に配置され、実質的に単一の結晶方位を有し、実質的に空隙なく、基板１２の上面１２Ａおよびバンプ３０の壁面３４を被覆するものであってよい。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置において、欠陥を減少させ、静電気放電に対する保護能力を高める。
【解決手段】 上面１２Ａおよび上面１２Ａに配置された複数のバンプ３０を備えた基板１であって、バンプ３０の各々が、上面１２Ａに対して実質的に平行な頂面３２および頂面３２と上面１２Ａとの間の複数の壁面３４を有するものである基板１２、および基板１２上に配置されたエピタキシャル層であって、基板１２の上面１２Ａおよびバンプ３０の壁面３４に実質的に同じ結晶方位を有するエピタキシャル層を備える。また、別の態様において、エピタキシャル層は、基板１２上に配置され、実質的に単一の結晶方位を有し、実質的に空隙なく、基板１２の上面１２Ａおよびバンプ３０の壁面３４を被覆するものであってよい。 （もっと読む）

【課題】 半導体発光装置において、光取り出し効率を改善する。
【解決手段】 上面１２Ａと、上面１２Ａに設けられている複数のバンプ３０とを有し、バンプ３０は上面１２Ａに対して実質的に平行な頂面３２を有している基板１２；バンプ３０の間の基板１２に向きかつバンプ３０から間隔が置かれた複数の第１の突出部４４を有し、基板１２上に配置された第１の導電型の半導体層１４；第１の導電型の半導体層１４上に配置された発光構造；および発光構造上に配置された第２の導電型の半導体層を備える。第１の導電型の半導体１４層が、バンプ３０の頂面３２に向いている複数の第２の突出部４２をさらに備えることが好ましい。 （もっと読む）