【課題】製造方法の複雑さが増加することを避けつつ、非常にコンパクトであるメモリセルを提供する。
【解決手段】４つのトランジスタを持つＳＲＡＭのメモリセルは、半導体材料から形成された第１の領域５ａを有し、この第１の領域は、直列に接続された第１の伝送トランジスタ１ａと第１のドライバトランジスタ２ａとを有し、これらの共通端子は第１の電気ノードＦとなっている。第２の伝送トランジスタ１ｂと第２のドライバトランジスタ２ｂとは、半導体材料で形成された第２の領域上で直列に接続されており、これらの共通端子は第２の電気ノードＳとなっている。第１の伝送トランジスタ１ａと第２のドライバトランジスタ２ｂとは、第１の電気ノードＦと第２の電気ノードＳとを通過する面ＦＳの第１の側の上にあり、これに対し、第１のドライバトランジスタ２ａと第２の伝送トランジスタ１ｂとは、面ＦＳの他の側の上にある。 （もっと読む）

本発明は、基板（２）上のスタック（１７）を備えるマイクロ電池に関する。前記スタックは、密封層（１８）により覆われており、且つ、第１及び第２の電流コレクタ／電極アセンブリ（１９、２１）と、電解質（２０）と、外部電気負荷と第２の電流コレクタ／電極アセンブリ（２１）を接続する電気接続手段（２５）とを備える。この電気接続手段（２５）は、密封層（１８）をこの密封層（１８）の内部表面（２３）から外部表面（３０）へと貫通する少なくとも２つの導電性仕切りから形成されている。各仕切りは、第２の電流コレクタ／電極アセンブリ（２１）の前面（２２）に直接接する下部壁（３１）と、密封層（１８）の外部表面（３０）上に開口している上部壁（３２）とを有する。この仕切りは、密封層（１８）の中に区画化網状体（４０）を形成している。
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本発明は、原子炉（１２）、第１の熱交換器（１４）およびブロワ（１６’）を通るガスを含む一次回路（１０）を備える電力生産設備に関する。非凝縮性ガスを含む二次回路（１７’）が、第１の熱交換器（１４）、ならびに同じシャフト（２４’）に取り付けられたタービン（１８）および圧縮機（２２）を通る。ブロワはシャフトによって駆動される。一次回路および二次回路のガスは同じ性質であり、二次回路の圧力は一次回路の圧力によって自動的に調整される。
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【課題】アルカリ性媒体中で化学的に安定であり、良好な電気化学的性能、特に高いイオン伝導性と良好な機械的強度を組み合わせたポリマー材料の提供。
【解決手段】下記の単位を有する骨格を含んでなるフルオロカーボンポリマー材料。


（式中、Ｚは４級アンモニウム基であり、Ｙ_１およびＹ_２は、それぞれ独立して、酸素ヘテロ原子または硫黄ヘテロ原子であり、Ａは、２〜６の炭素原子を有するフッ化または全フッ化された直鎖であり、Ｒ_１は、フェニルもしくはアリール基または−ＣＲ_２Ｒ_３−基を表し、Ｒ_４は、水素原子、直鎖もしくは分岐鎖の、環状もしくは非環状の、アルキルもしくはハロゲン化アルキル基からなる群から選択される） （もっと読む）

本発明は、装置を張りつめた実質的に平行な２本の糸へと組み付けるための方法に関する。装置は、電子チップ（８）と、装置の両側面に開いた２本の実質的に平行な溝（４ａ、４ｂ）とを備えている。溝を隔てている距離が、糸を隔てている距離に対応している。装置は、溝の平面に対して垂直な軸に沿った進入形状を呈しており、この進入形状が、溝のレベルに位置する底部と、糸を隔てている距離よりも小さいサイズの頂上（１）とを有している。本方法は、装置の頂上（１）を２本の糸の間に配置するステップと、２本の糸の間で装置を移動させ、装置の進入形状によって糸を互いに引き離すステップと、糸が溝へと進入して糸の初期の隔たりの距離へと復帰するまで、装置の移動を続けるステップとを含む。
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ヘテロジャンクション太陽電池は、結晶シリコン基板（１）の正面又は背面（１ａ）のいずれかに直接配置され、且つ、前記基板（１）とアモルファス又は微結晶のシリコンの層（３）との間に配置される結晶酸化シリコン薄膜（１１）を少なくとも１つ備える。前記薄膜（１１）は、前記基板（１）の前記面（１ａ）のパッシベーションとなることができる。特に、前記薄膜（１１）は、アモルファスシリコンの層（３）の堆積の前に、前記基板（１）の表面部分をラジカル酸化することにより得られる。さらに、真性アモルファスシリコン又は微量ドーピングされたアモルファスシリコンの薄層（２）は、前記薄膜（１１）と前記アモルファス又は微結晶シリコンの層との間に配置することができる。
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電池の劣化状態を診断する方法は、一体電流下での部分的な放電の間の電池電圧から第１の充電状態値（ＳＯＣ^１）を測定し（Ｆ１）、前記電池の開路電圧から第２の充電状態値（ＳＯＣ^２）を測定し（Ｆ２）、前記第１と第２の充電状態値の差から劣化状態（ＳＯＨ）を計算する（Ｆ３）ことを備える。
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少なくとも１つの光起電セルを製造するための方法が、結晶シリコン基板（１）の表面（１ａ）の異方性エッチングと、前記表面（１ａ）の等方性エッチング処理とを連続的に含んでいる。等方性エッチング処理は、１０ｎｍ〜５００ｎｍの間の範囲の制御された平均厚さを有する酸化シリコン薄膜（１１）を形成することと、そのようにして形成された前記薄膜を除去することとからそれぞれなる少なくとも２つの連続的な作業を含む。基板（１）の面（１ａ）に酸化シリコン薄膜（１１）を形成することからなる作業は、熱によって活性化される乾式酸化によって実行される。このような方法は、異方性のやり方でエッチングされた後の基板（１）の表面（１ａ）の表面品質の改善を可能にする。
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