酸素が豊富な界面層(209)を使用する分極抵抗型太陽電池を提供する。酸素が豊富な界面層は、太陽電池に近い酸素が豊富な部分から、太陽電池から遠い窒素が豊富な部分までの間で変化する、徐々に変化するプロファイルを有し得るSiO_xN_yで構成され得る。酸化シリコンパッシベーション層は、太陽電池とSiO_xN_yの徐々に変化する誘電体層との間に挟まれ得る。この徐々に変化するSiO_xN_y誘電体層は、徐々に変化しないSiO_xN_y誘電体層およびSiN ARコーティングで置き換えられ得る。

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分極抵抗型太陽電池を提供する。太陽電池(200)は、電池の表面に配置された二重層誘電体スタックを使用する。誘電体スタックは、電池表面に直接配置され、SiO_xまたはSiONのいずれかから構成されるパッシベーション層(209)、およびSiCNから構成される外部ARコーティング(211)からなる。

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製造コストを低減する簡易化された製造プロセスおよび得られる両面型太陽電池（BSC）を提供する。当該BSCは、例えばリン拡散工程などによって形成された、基板（101）の前面に位置する活性領域（103）を備える。リン拡散の場合にはPSGを除去し、前面接合を絶縁した後、誘電体層（105／107）を前面および裏面に被着する。接触グリッド（109／111）は、例えば、スクリーン印刷によって形成される。裏面誘電体を被着する前に金属グリッドを裏面に適用してもよく、当該裏面接触グリッドは、金属グリッドに対して位置合わせされ、接触を焼成する間に該金属グリッドと合金化する。

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UMG-Si原料バッチ中のボロンおよびリンの濃度を決定するための品質管理プロセスを提供する。シリコン検査インゴットは、UMG-Si原料バッチから得た溶融UMG-Siの方向性凝固によって形成される。シリコン検査インゴットの抵抗率を上部から底部まで測定する。次いで、シリコン検査インゴットの抵抗率プロファイルをマッピングする。シリコン検査インゴットの抵抗率プロファイルから、UMG-Siシリコン原料バッチのボロンおよびリンの濃度を算出する。さらに、UMG-Si原料バッチにそれぞれ対応する複数の検査インゴットを、多るつぼ結晶成長器において同時成長させてもよい。

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製造コストを低減する簡易化された製造プロセスおよびそれによって得られる両面型太陽電池（BSC）を提供する。当該BSCは、裏面接触グリッド（113）およびオーバーレイされたブランケット金属反射体（117）を備える。当該接触グリッドと当該ブランケット層との間には、ドープしたアモルファスシリコン層が介在する。

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製造コストを低減する簡易化された製造プロセスならびにそれによって得られる両面型太陽電池（BSC）を提供する。当該BSCは、例えばリン拡散工程などによって基板（101）の前面上に位置する活性領域（107）を備える。裏面はドープ領域（103）を備えており、当該ドープ領域は、当該基板と同じ導電型を有するが、そのドーピングレベルは基板より高い。接触グリッド（111／113）は、例えば、スクリーン印刷によって形成される。前面接合の絶縁は、レーザースクラブを用いて実施される。

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溶融UMG-Siの方向性凝固を実施してシリコンインゴットを形成することによる、UMG-Si精製のためのプロセス管理方法を記載する。インゴットをブリックに分割し、各シリコンブリックの抵抗率プロファイルをマッピングする。方向性凝固の間にインゴット中に濃縮および捕捉される不純物を除去するためのトリミングラインが、抵抗率マップに基づいて算出される。次いで、濃縮された不純物が、各ブリックの算出されたトリミングラインに沿ってそのブリックをトリミングすることにより除去される。

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さまざまな品質のシリコン原料を使用してシリコンインゴットおよび結晶を形成する技術が記載される。共通の特徴は、所定量のゲルマニウムを溶融物に添加し、それぞれの結晶シリコン材料のシリコン格子にゲルマニウムを取り込むように結晶化を実行することである。ゲルマニウムがこのように取り込まれることで、シリコン材料のそれぞれの特性、主に、材料強度が向上する。これにより、太陽電池の製造およびこれらの太陽電池からのモジュールの作製におけるこのような材料の適用に好ましい効果を及ぼす。ゲルマニウム濃度が（50〜200）ppmwの範囲のシリコン材料は、材料強度の向上を示しており、この場合の最良の実用範囲は、生成された材料の品質に依存する。

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