リチウムに基づく出発基板から薄層を転写させる方法であって：１０％から８０％の割合で基板のリチウムイオンをプロトンで交換するために、この基板の遊離面を通り深さｅ１にわたる、この基板と酸である第１の電解質との間でのプロトン交換工程；第１の深さｅ１より浅い第２の深さｅ２にわたる、少なくとも実際にはすべてのプロトンをリチウムイオンで交換し、深さｅ１と深さｅ２との間に中間層を残すために、遊離面を通る、この基板と第２の電解質との間の逆プロトン交換工程であって、この中間層には、プロトン交換工程の間に組み込まれたプロトンが依然として存在し、この深さｅ２が前記遊離面と中間層との間の薄層を規定する工程；中間層の脆化に好適な条件下で行われる熱処理工程；および中間層にて、基板の残存部分から薄膜を分離するのに好適な分離工程を含む、方法。
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