【課題】基板を保持、移送し陽極化成槽の一部とする機構を有する、自動化及びバッチ処理に好適な陽極化成装置と、多孔質層を形成した半導体基板を提供する。
【解決手段】左側ホルダ部６７及び右側ホルダ部６９で複数枚の基板Ｗを保持した状態で処理位置に移動させ、上側ホルダ部７１及び下部ホルダ３９と連結させ、貯留槽１１の内部で複数枚の基板Ｗの全周面が電解質溶液に対して液密にされる。この状態で化成反応処理を行った後、基板Ｗが貯留槽１１から搬出される。従って、左側ホルダ部６７及び右側ホルダ部６９が上側ホルダ部７１及び下部ホルダ３９と協働して基板Ｗを液密に保持可能な構成とし、複数枚の基板Ｗを搬送し、多孔質層を形成でき、自動化及びバッチ処理に好適な陽極化成装置１を実現でき又、表裏、両表面に効率良く、かつ均一に形成された多孔質層を具備する半導体基板を本装置により提供可能となる。 （もっと読む）

【課題】バッチ処理が可能で、かつ、電極の交換頻度を抑制して稼働率を向上させることができる陽極化成装置を提供する。
【解決手段】貯留槽９内に配置されている基板ホルダー４１に複数枚の基板を保持させ、電極２１，２３に通電すると、電極槽２１，２３間でイオンが移動し、イオン交換膜２９，３５を通して複数枚の基板に化成反応が生じる。したがって、複数枚の基板を処理するバッチ処理が可能となる。また、電極槽５，７内に貯留している電解質溶液の濃度は、貯留槽９内に貯留している電解質溶液の濃度よりも低く設定されている。したがって、電極槽５，７内における化成反応が貯留槽９内に比較して抑制されるので、電極槽５，７内における電極２１，２３に生じる局所的な化成反応が抑制できる。その結果、電極２１，２３の劣化を抑制することができ、装置の稼働率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板を保持する機構を工夫することにより、自動化及びバッチ処理に好適な陽極化成装置を提供する。
【解決手段】貯留槽９内に配置されている第１支持ユニット５７と第２支持ユニット７３とが離反され、複数枚の基板が第１支持ユニット５７に載置されることにより、前記基板の周面のうちの下部だけが電解質溶液に対して液密に支持される。第２支持ユニット７３が第１支持ユニット５７に対して連結されると、前記基板の周面の残り部分が前記電解質溶液に対して液密にされた状態で前記複数枚の基板が支持され、これにより前記基板の周面が全周にわたって前記電解質溶液に対して液密にされる。第１支持ユニット５７と第２支持ユニット７３とを着脱自在な基板ホルダー４１とすることによって前記複数枚の基板を機械的に搬入搬出させ、自動化及びバッチ処理に好適な陽極化成装置を得る。 （もっと読む）