【課題】プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）を用いて低い温度で無機ＳｉＯ₂膜を堆積する方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内でプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）を用いて２５０℃よりも下の温度で無機ＳｉＯ2膜を堆積する方法であって、オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）及びＯ2を前駆体として１５：１と２５：１との間のＯ2／ＴＥＯＳ比で供給し、前記前駆体を、ＲＦ駆動シャワーヘッドを用いて堆積し、前記ＲＦ駆動シャワーヘッドを、高周波成分及び低周波成分を用いて駆動する。 （もっと読む）

【課題】ターゲット表面に入射する正のイオン流による急速な帯電に起因するアーク放電を生じることなく、絶縁材料の堆積にも使用できるイオンビーム源を提供する。
【解決手段】非導電ターゲットとともに使用するイオンビーム源であって、イオンを抽出するグリッド１〜４と、このグリッドにパルス電力を供給する電源（直流電源１６およびビーム制御装置１７）とからなり、前記電源は、グリッド１電源〜グリッド３電源と、前記グリッドに対する電力の供給を接続および遮断するスイッチのセット１９と、このスイッチを制御する電力スイッチング装置２１と、スイッチの切替を行うためのパルス発生器２０とを有する。 （もっと読む）

本発明は、基板位置において低圧原子層堆積に使用するためのガス供給デバイスに関する。このデバイスは、処理ゾーン（２２）に処理ガスを供給するための第１の概して細長い注入器（２１）と、処理ゾーン（２２）の周囲にある第１の排出ゾーン（２３）と、処理ゾーンを包囲する出口において、パージガス又は不活性ガスを供給するための、第１の排出ガスの周囲にあるさらなる注入器であって、少なくとも１つの部分ガスシール部を画定するための出口の周囲にある基板位置に対面する壁を有するさらなる注入器とを含む。
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