【課題】最良のパフォーマンス／コスト比を有するフルカラー・アクティブ・マトリクス有機発光ディスプレイを提供する。
【解決手段】透明な基板１２、カラー・フィルタ１４、および、カラー・フィルタ上に重なる関係で配置され、かつ、ピクセルのアレイを画定する金属酸化物薄膜トランジスタ・バックパネル１８を含む。ＯＬＥＤのアレイ２０は、バックパネル上に形成され、フルカラー・ディスプレイのバックパネル、カラー・フィルタ、およびの基板を通って光を下方へ透過するために配置される。各ＯＬＥＤによって発光された光は、複数の原色うちの２つの範囲にわたって広がる波長を有する第１発光帯域、および、残りの原色の範囲にわたって広がる波長を有する第２発光帯域を含む。カラー・フィルタは、各ピクセルのために、第１発光帯域を２つの別個の原色に分離する２つのゾーン、および、第２発光帯域を透過させる第３のゾーンを含む。 （もっと読む）

アクティブ・マトリクス・ディスプレイ用の薄膜トランジスタを、マスキング作業を削減して製作する方法は、基板上にゲートをパターン形成することを含む。ゲート誘電体がゲート上に形成され、さらに、半導体金属酸化物がゲート誘電体上に堆積される。チャネル保護層が、ゲートの上方に重なる半導体金属酸化物上にパターン形成されてチャネル領域が画定され、半導体金属酸化物の残部が露出される。その構造上にソース／ドレイン金属層が堆積され、ゲートの上のチャネル保護層までエッチングすることにより、ソース／ドレイン金属層がソース端子とドレイン端子とに分離され、さらに、周辺部でソース／ドレイン金属層および半導体金属酸化物を通ってエッチングされ、トランジスタが隔離される。非導電性スペーサが、トランジスタおよび周囲のソース／ドレイン金属層の部分上にパターン形成される。
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透明な基板上に金属酸化物ＴＦＴを製作する方法は、基板の上面上に不透明なゲート金属を配置する段階、ゲート金属および周辺領域上に重なるように透明なゲート誘電体および透明な金属酸化物半導体層を堆積させる段階、半導体材料上に透明なパッシベーション材料を堆積させる段階、パッシベーション材料上にフォトレジストを堆積させる段階、フォトレジストを露光および現像して露光部分を除去する段階、パッシベーション材料をエッチングし、チャネル領域を画定するパッシベーション領域を残す段階、パッシベーション領域上に透明な導電材料を堆積させる段階、導電材料上にフォトレジストを堆積させる段階、フォトレジストを露光および現像して非露光部分を除去する段階、および、導電材料をエッチングし、チャネル領域の両側にソースおよびドレイン領域を残す段階を含む。
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薄膜半導体装置は、アモルファス半導体イオン化金属酸化物とアモルファス絶縁共有結合金属酸化物との混合物を含む半導体層を有する。１対の端子は、半導体層と連絡するように配置され、かつ、導通チャネルを画定し、ゲート端子は、導通チャネルと連絡するように配置され、さらに、チャネルの導通を制御するために配置される。本発明は、さらに、結果として生じた半導体層内のキャリヤ集中を制御するために、堆積工程間に窒素を使用することを含む、混合物を堆積する方法を含む。
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本製造方法は、厚さ１００ｎｍ未満の金属酸化物活性層を有する半導体装置の製造に用いられ、その上部主要表面および下部主要表面は、下部界面および上部界面を形成するための接合する材料を有する。本製造方法は、金属酸化物活性層のために金属酸化物を選択することにより、および、接合する材料のために特定の材料を選択することにより、下部界面と上部界面との界面相互作用を制御することを含む。さらに、本方法は、下部界面の成分を形成する下部材料の表面処理によって下部界面内の相互作用を制御する段階、および、金属酸化物層上の材料の堆積に先立って実行される金属酸化物フィルムの表面処理によって上部界面の相互作用を制御する段階、の一方または両方の段階を含む。
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