国立大学法人 東北大学 原子分子材料科学高等研究機構により出願された特許
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磁気抵抗素子および磁気メモリ
【課題】垂直磁気異方性を有するとともにより大きな磁気抵抗効果を発現することが可能な磁気抵抗素子およびこれを用いた磁気メモリを提供する。
【解決手段】下地層と、下地層上に設けられ、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、MnxGa100−x(45≦x<64atm%)である磁性体膜を含む第1の磁性層と、第1の磁性層上に設けられた第1の非磁性層と、第1の非磁性層上に設けられ、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、MnyGa100−y(45≦x<64atm%)である磁性体膜を含む第2の磁性層と、を備え、第1および第2の磁性層のMnの組成比が異なり、第1の非磁性層を介して第1の磁性層と第2の磁性層との間に流れる電流によって、第1の磁性層の磁化方向が可変となる。
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