【課題】製造されるインゴットの直径を高い精度で制御できる単結晶直径制御方法を提供する。
【解決手段】単結晶インゴット直径制御方法であって、炉２２内を鉛直上方に引き上げられているインゴット１の直径を、炉内状態視認窓２３を通して計測し、得られた直径データに基づいて製造条件を補正する。前記炉内状態視認窓２３を坩堝２１内の溶融原料の溶融表面を視認できる位置及び角度に設け、前記溶融表面において得られる第一直径データに基づいた前記製造条件の補正の結果を、前記溶融表面から鉛直上方に間隔をあけた位置において得られる第二直径データに基づいて検証してもよい。 （もっと読む）

【課題】失透コーティングに形成されるピンホールの直径を小さく抑えることができるシリコン結晶成長用石英坩堝のコーティング方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るコーティング方法では、シリコン結晶成長用石英坩堝の内面に厚さ８０μｍ以上４ｍｍ以下の無気泡石英層を形成し、前記無気泡石英層の表面をアルカリ土類水酸化物で被覆した後、前記表面に失透が発生する温度以上に加熱する。前記被覆は、前記内面を前記アルカリ土類水酸化物の溶液に浸漬させて行なってもよい。また、前記加熱は、前記シリコン結晶成長用石英坩堝に、溶融原料の固体原料を充填する前に行なってもよい。 （もっと読む）