【課題】基板上に材料をエピタキシャル成長させる方法と装置を提供する。
【解決手段】基板(1)上に材料をエピタキシャル成長させる方法である。前記方法が、基板の一領域、またはその近傍において前駆物質をそれぞれの分解温度にまで個々に加熱することにより、前記領域に個々に供給されて前記領域に結合する核種を生成することを含む。また、前記方法は、それぞれの前駆物質からの前記核種が前記領域に順次に、個々に供給されてもよく、前記核種を基板の相対移動により前記領域に個々に供給して、前駆物質の分解が発生する位置に対して前記領域を移動させてもよい。 （もっと読む）