ラジカル増進原子層堆積（ＲＥＡＬＤ）方法は、基板を、第１前躯体ガス、及びラジカル種、例えば酸素を含有する第２前駆体ガス２２６から発生する単原子の酸素ラジカル（Ｏ・）に、交互に被曝させるステップを有し、交互被曝中に、ラジカルと第１前駆体ガスとの空間的又は時間的隔離を維持する。第１及び第２前駆体ガスは通常のプロセス条件下で互いに反応性を有さず、それ故、ラジカルが再結合化、そうでなければ不活性化した後に、これらを混合することが許容されるとき、簡素化した反応器２１０の設計及びプロセス制御が可能となる。若干の実施形態では、第２前駆体ガス２２６は、酸素を含有する化合物、例えば二酸化炭素（ＣＯ_２）、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）、又はそのような酸素を含有する化合物の混合物とし、通常の酸素（Ｏ_２）はほとんど含まないものとする。 （もっと読む）

ＡＬＤ薄膜堆積のシステム２００，３００および方法は、複数の分離された前駆体ゾーン２１４，２１６，３１４，３１６を含んだ移動を基本としたプロセスにおいて、過剰の化学吸着されていない前駆体を基板２１０，３１０の表面から除去する過剰の前駆体を除去する機構２８０，３８０を備える。過剰の前駆体を除去する機構２８０，３８０は、過剰の前駆体を、分離された前駆体ゾーンに達する前に遊離させるために、局所化された高温状態、高エネルギー状態または過剰の前駆体の共沸混合物を導入し、これにより、熱による基板の分解を生じさせることなく、ＣＶＤ堆積の発生を防止する。 （もっと読む）

原子層成膜（ＡＬＤ）法を用いて、二酸化チタンのような金属酸化物の薄膜バリア層（１００）を基板（１１０）上に成膜する。チタン酸化物バリアをＡＬＤにより約１００℃未満の温度で成膜する場合に、優れたバリア層特性を達成することができる。１００オングストローム未満の厚さで、約０．０１ｇ／ｍ^２／日未満の水蒸気透過速度を有するバリアおよびかかるバリアの製造方法が開示されている。 （もっと読む）