誘導法により多結晶シリコンインゴットを製造する方法が、インダクタで囲まれる冷却るつぼの溶融チャンバ内にシリコン原料を装入すること、融液表面を形成すること、及び、溶融することを含み、なお、インダクタの上面よりも下であるが、その高さの１／３よりも下ではない融液表面位置をもたらすように、シリコン原料の質量装入量及びインゴットを引き抜く速度を設定し、融液表面を同じ高さに保持する。この場合、インダクタの供給出力パラメータを所定範囲内に維持することによって、融液表面位置が同じ高さに保持される。本方法は、太陽電池の製造に好適な多結晶シリコンインゴットを鋳造することをもたらし、注目すべきより高い効率及びより低いエネルギー原単位を有する。 （もっと読む）

誘導法により多結晶シリコンインゴットを製造するための装置が、シリコンの加熱を始動させるための手段と、インダクターに囲まれる冷却るつぼとを備える筐体を備える。るつぼは、可動式の底部と、鉛直方向に延在するスロットで離間されるセクションで構成される４つの壁と、可動式の底部を移動させるための手段と、冷却るつぼの下方に配置される制御冷却コンパートメントとを有する。るつぼの内面は、矩形断面又は正方形断面の溶融チャンバの範囲を規定する。冷却るつぼの壁は、少なくともインダクターから冷却るつぼの最下部に向かって外側に広がるため、溶融チャンバが拡張され、溶融チャンバを拡張する角度βは、式
【数1】


（式中、ｄは、インデューサーの高さにおける溶融チャンバの断面の矩形の短辺又は正方形の一辺の寸法であり、ｂは、インデューサーの高さにおける溶融チャンバの断面の隣接する辺の寸法であり、ｋは実験係数であり、１．５〜２である）によって規定される。本装置は、シリコン融液の流出を減少させ、またこのようにして製造される多結晶シリコンの品質を高めることを可能にする。
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【解決手段】 本発明は、誘導法を使って多結晶シリコンを得る工程に関する。この方法は、溶解空間の形状にプールを溶解および鋳造する工程と、多結晶シリコンインゴットを結晶化させる工程と、当該多結晶シリコンインゴットを加熱装置セットにより制御冷却する工程とを有する。前記プールの溶解および鋳造が停止された後、前記多結晶シリコンインゴットの残りの部分の結晶化とともに当該インゴット全体の制御冷却も完了され、次に、当該インゴットは、可動底部および前記加熱装置セットとともに移動され、制御冷却が続行される。前記インゴットの移動と同時に、別の可動底部を含む別の加熱装置セットが当該インゴットの移動により空いた空間に供給されたのち、その新たな可動底部が前記水冷るつぼ内に移動され、前記工程が繰り返されることにより次のインゴットが製造される。当該方法は、プラットフォームを追加的に含む機器を使って実施され、このプラットフォームは、前記制御冷却区画内に設置され、当該プラットフォームの軸を中心に回転自在に設計される。このプラットフォームは、少なくとも２つの加熱装置セットを搭載する。本明細書で提案する発明は、太陽電池の製造に適した多結晶シリコンの出力を確実に高めるものである。
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