【課題】パターン化された格子緩衝層を用いて窒化物の結晶性を向上させることができ、エアホールを形成することによって輝度を向上させることができる窒化物系発光素子及びその製造方法について開示する。
【解決手段】本発明に係る窒化物系発光素子の製造方法は、基板上にウルツ鉱型格子構造を有する物質を蒸着して蒸着層を形成し、前記蒸着層の表面にエッチングパターンを形成することによって、パターン化された格子緩衝層を形成し、前記パターン化された格子緩衝層上に窒化物を成長させることを含み、前記パターン化された格子緩衝層上に窒化物を成長させるとき、前記パターン化された格子緩衝層を除去し、前記除去された部分にエアギャップを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮパウダーの簡便な製造方法及び当該方法で製造されたＧａＮパウダーを用いた窒化物系発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＧａＮパウダー製造方法は、ＧａＮ系発光素子のエッチング過程で発生するＧａＮエッチング物を捕集し、前記の捕集されたＧａＮエッチング物を洗浄し、前記の洗浄されたＧａＮエッチング物を加熱することによって、前記ＧａＮエッチング物に含まれたインジウム（Ｉｎ）成分を除去し、前記インジウム成分が除去されたＧａＮエッチング物を粉砕してパウダー化すること特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性及び輝度の向上した窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物系発光素子は、成長基板と、前記成長基板上に形成される格子緩衝層と、前記格子緩衝層上に形成されるｐ―タイプの窒化物層と、前記ｐ―タイプの窒化物層上に形成される発光活性層と、前記発光活性層上に形成されるｎ―タイプのＺｎＯ層とを含み、前記格子緩衝層は、ウルツ鉱型構造を有する物質のパウダーで形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯパウダーのようなウルツ鉱型格子構造を有する物質のパウダーを用いた窒化物系発光素子及びその製造方法について開示する。
【解決手段】本発明に係る窒化物系発光素子は、成長基板と、前記成長基板上に形成される格子緩衝層と、前記格子緩衝層上に形成され、複数の窒化物層が積層されている発光構造体とを含み、前記格子緩衝層は、ウルツ鉱型構造を有する物質のパウダーで形成されることを特徴とする。このとき、前記格子緩衝層はＺｎＯパウダーで形成され、窒化物の成長時に発生する線欠陥を最少化することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を成長基板として用いた場合に問題となる、窒化物成長時における線欠陥の発生を低減化できる、シリコン基板を成長基板として用いる窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物系発光素子は、シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成される窒化物成長用シード層と、前記窒化物成長用シード層上に形成され、複数の窒化物層が積層されている発光構造体とを含むことを特徴とする。特に、前記窒化物成長用シード層はＧａＮパウダーで形成される。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶品質のｐ―タイプの窒化物層を含む窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物系発光素子は、成長基板と、前記成長基板上に形成されるパウダータイプの窒化物成長用シード層と、前記窒化物成長用シード層上に形成されるｐ―タイプの窒化物層と、前記ｐ―タイプの窒化物層上に形成される発光活性層と、前記発光活性層上に形成されるｎ―タイプのＺｎＯ層とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成長する窒化物層の品質を改善させることができ、さらに、製造工程の作業性が改善され、発光素子の発光効率を改善することができるテンプレートの製造方法及びこれを用いた窒化物半導体発光素子の製造方法の提供。
【解決手段】基板１００上に３族物質を含む第１の窒化物層２１０を成長させる段階、前記第１の窒化物層の上側に、前記の第１の窒化物層とエッチング特性が相違する多数個のエッチングバリア２１２を形成する段階、クロライド系列のガスで前記の第１の窒化物層を前記エッチングバリアのパターンに沿ってエッチングして柱状のナノ構造物を形成する段階、そして前記ナノ構造物上側に第２の窒化物層を成長させて、内部に多数個の空隙２１４を備える窒化物緩衝層を形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】テンプレートに成長する窒化物層の品質を改善させ、製造工程の作業性が改善され、発光素子の発光効率を改善するテンプレートの製造方法及びこれを用いた窒化物半導体発光素子の製造方法の提供。
【解決手段】基板１００上に第１の窒化物層２１０を成長させる段階、クロライド系列のエッチングガスを供給して前記の第１の窒化物層の上面をエッチングする段階、前記の第１の窒化物層の上面に第２の窒化物層２２０を成長させて多数個の第１の空隙２２３を形成する段階、前記エッチングガスを供給して前記の第２の窒化物層の上面をエッチングする段階、そして、前記の第２の窒化物層の上面に第３の窒化物層を成長させて多数個の第２の空隙２２３を形成する段階を含む。 （もっと読む）