説明

エービービー テクノロジー アーゲーにより出願された特許

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【課題】金属材料の亀裂深さ以外に、コイルと測定対象物との間の距離、表面上の磁性酸化物、組成材料の物理特性の変化、コイルに対する亀裂の位置および亀裂長さなどのパラメータが、磁場の変化に影響を及ぼす。この受信コイルによって測定された変化が、亀裂深さが原因か、または別のパラメータが原因かの判別がつく検査方法を提供する。
【解決手段】金属材料Mに磁場を発生させる送信コイル3に第1の大きさの電流を供給するステップ、金属材料Mの最も深い亀裂深さよりも深くまで磁場が貫通しているとき、第2の大きさを有するように電流を制御するステップ、検出した磁場によって受信コイル5に信号を発生させるステップ、第1の時間範囲における第1の信号特性値を求めるステップ、第1の時間範囲の後の第2の時間範囲において第2の信号特性値を求めるステップ、第1の特性値および第2の特性値に基づいて、亀裂深さを求めるステップとを、含む方法。 (もっと読む)


本発明は、電気開閉装置用ばね動作式アクチュエータに関する。電気開閉装置用ばね動作式アクチュエータは、開離ばね手段および閉成ばね手段を含み、これらの手段のうち少なくとも一方は、ねじりばね(3,4)を含む。本発明によれば、ねじりばね(3,4)は、巻き戻し方向で蓄勢し、巻き方向で放勢する。
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本発明は、電気的スイッチング装置向けのばね式アクチュエータに関する。アクチュエータは、スイッチング装置へ作動動作を伝達するメインシャフト(1)を有し、開放ばね手段および閉鎖ばね手段を有する。本発明によれば、開放ばね手段は開放ねじりばね(3)を含み、閉鎖手段は閉鎖ねじりばね(4)を含む。ねじりばね(3、4)の軸は、互いから開放ばね外径の20%未満の距離を空けて同じ方向に延びる。
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DC電圧をAC電圧に、およびAC電圧をDC電圧に変換するためのマルチレベル電圧変換器が、第1の制御ユニット(30)と、第1のDC端子(4)と第2のDC端子(5)の間の少なくとも1つの位相レッグ(1)とを備え、少なくとも1つの位相レッグ(1)が、第1のDC端子(4)と第1のAC端子(6)の間の第1の電圧源(Uvp1)と、第1のAC端子(6)と第2のDC端子(5)の間の第2の電圧源(Uvn1)とを備え、第1の制御ユニット(30)が、第1および第2の電圧源(Uvp1、Uvn1)を制御する。変換器がさらに、少なくとも1つの位相レッグ(1)に直列結合された少なくとも1つの結合インダクタ(18)と、少なくとも1つの結合インダクタ(18)に接続された能動制御型の高調波補償器(21)と、高調波補償器(21)の出力を制御するように適合された第2の制御ユニット(23)とを備え、少なくとも1つの位相レッグ(1)を通って流れる循環電流(i)中の高調波を減少させる。
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電圧形変換器は、直列接続の開閉器アセンブリを有し、各開閉器アセンブリ(7)は、ターンオフ型の少なくとも1つの半導体素子と、これに並列接続されるフリーホイールダイオードとをそれぞれ有する複数の半導体チップ(31)を担持する導電性板材(30)を有する。前記チップは、少なくとも1つの個々の導体部材(35、36)によって前記直列接続の隣接する開閉器アセンブリの前記板材にそれぞれ接続されることによって、互いに並列接続される。各開閉器アセンブリは、機械スイッチ(39)を有し、開閉器アセンブリの正常な操作で開くように構成され、開閉器アセンブリの半導体チップで短絡電流が発生すると、機械スイッチが属する開閉器アセンブリの前記半導体チップを迂回させるために、開閉器アセンブリの前記板材を、隣接する開閉器アセンブリの板材に接続できるように構成される。 (もっと読む)


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